2011-07-15

由于工程地处沙漠地区，天威薄膜组件卓越的高温发电性能更加得到实际印证。

来源：Solarbe2011-07-15

该公司表示，这些新的技术上的改进，使薄膜组件生产时间减少7分半钟。

来源：Solarbe2011-07-14

薄膜太阳能组件技术有了新突破，美国光伏生产商uni-solar近日宣布，其nano-crystalline薄膜组件效率了16.3%，创世界纪录新高。

来源：中国能源报2011-07-14

例如，建设1兆瓦屋顶薄膜组件项目,总投入约1000万元，而补贴高达800万元，项目投资(包括利息)在三年内就可以回收，以后20多年还可发电2000万度，以平均自发自用每度电1元计算(用电价还会逐年增长)

来源：Solarbe2011-07-13

英国威尔士太阳能公司将在威尔士建2mw光伏电站，电站采用miasolé的薄膜组件，总装机容量达2mw，可以为600个家庭户提供电力供应。电站的输配电将由英国绿色电力部来承担。

来源：Solarbe2011-07-12

3月，q.smart薄膜组件创造了另一个标志性的世界纪录，孔径面积独立效率达14.7%。

2011-07-12

通知明确，采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦，独立光伏发电项目的补助标准另行确定。

来源：华泰证券2011-07-12

通知明确，采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦，独立光伏发电项目的补助标准另行确定。

来源：solarF - Joyce Li2011-07-08

而最近申报的第三批金太阳示范工程则规定：采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦;独立光伏发电项目的补助标准另行确定。

来源：中国新能源网2011-07-08

通知显示，采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。...非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。对于生产企业资质，要求注册资本金在1亿元人民币以上、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力等等。

来源：新世纪2011-07-08

根据财政部等部委6月底联合下发《关于做好2011年金太阳示范工作的通知》，“金太阳”工程的补贴标准为，采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。

来源：中国化工报2011-07-06

新奥太阳能源有限公司是世界领先的生产高效低成本双结硅基薄膜组件的企业。

来源：中国能源报2011-07-06

通知显示，采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。...非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。对于生产企业资质，要求注册资本金在1亿元人民币以上、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力等等。

来源：索比太阳能2011-06-30

2011金太阳的补助标准为，并网项目如采用晶体硅组件可获得9元人民币/瓦的补贴，如采用非晶硅薄膜组件则可获得8元人民币/瓦的补贴;离网光伏项目的补助标准将另行确定。...非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。前述企业高层也表示，这一规定在以往项目要求中并未出现，说明政府对光伏组件提供商的产品质量做出了新规定，门槛比以往更高。

来源：索比太阳能2011-06-30

根据申报要求，此次“金太阳”的补贴标准为：采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。

来源：火力发电网2011-06-30

重点突破高灵敏度和高选择性的在线气相色谱和色质联用检测仪器；研制高通量、高选择性的现场快速检测仪等痕量有机物检测等仪器；开发具有自主知识产权的制膜技术、新型反硝化反应器、污泥厌氧消化能源回收利用设施及设备等；研发大型臭氧发生器设备、饮用水处理用膜组件等

来源：北极星太阳能光伏网2011-06-29

财政部6月27日下发通知称，中央财政今年将继续安排资金支持实施光伏发电金太阳示范工程;采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦，独立光伏发电项目的补助标准另行确定。

来源：财政部网站2011-06-28

(一)采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。(二)独立光伏发电项目的补助标准另行确定。

来源：新浪博客2011-06-16

今年5月初，全球最大的太阳能电池制造商q-cells旗下sunfilm公司与sontor公司宣布联手建立世界上最大的硅基多结薄膜组件公司。

来源：中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心 孟凡英2011-06-15

此外由于硅薄膜组件效率低(5%～7%)，在光伏系统应用中单位发电功率占地面积几乎是晶体硅组件(效率为13%～15%)的2倍，相应地，bos的成本也要增加，可见提高硅基薄膜组件的光电转换效率是赢得市场的重要条件