来源：东莞市发改局2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：国家发改委2022-11-30

金属基和玻璃基复合材料及制品、金属层状复合材料及制品、压力≥320mpa超高压复合胶管、大型客机航空轮胎、聚酯结构发泡材料（用于轻质高强交通工具部件、风电叶片芯材、建筑建材等领域）126.精密高性能陶瓷原料生产：碳化硅（sic

来源：广州金升阳科技有限公司2022-11-03

三、产品应用作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt

来源：西安市人民政府2022-10-25

整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进sic、gan等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。...专栏1：电子信息制造产业发展方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸sic衬底和8英寸si基gan外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备

来源：西安市人民政府2022-10-25

整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进sic、gan等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。...专栏1：电子信息制造产业发展方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸sic衬底和8英寸si基gan外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备

来源：西安市人民政府2022-10-25

整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进sic、gan等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。...专栏1：电子信息制造产业发展方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸sic衬底和8英寸si基gan外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备

来源：北极星太阳能光伏网2022-10-08

半绝缘型碳化硅衬底片和6英寸4h-sic导电型衬底片。...终止该募投项目的主要原因该项目的实施主体为公司之全资子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司（以下简称“露笑碳硅晶体”），该项目拟投资69,456.00万元，购置晶体生长炉、多线切割机、抛光机等先进设备，生产产品为4英寸4h-sic

来源：北极星电力网2022-09-30

该柔性变电站是国家重点研发计划项目“高压大功率碳化硅（sic）材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”的验证工程。

来源：中国能源网2022-09-28

该柔性变电站是国家重点研发计划项目“高压大功率碳化硅（sic）材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”的验证工程，标志着国家电网自主研发的碳化硅电力电子变压器制造技术在实用化方面取得了关键性成果，打破了国外对高功率密度高频率变压器研制关键技术的垄断

来源：北极星电力网2022-09-28

针对园区高品质供电需求，开展先进治理技术应用研究，试制了基于新型sic器件的电能质量综合治理装置，实现多稳态指标分布式综合治理；研制基于快速真空机械开关的电压暂降治理装置，采用高频强制过零和涡流驱动技术

来源：北极星储能网2022-09-14

北极星储能网获悉，9月13日，wolfspeed, inc.宣布将投入数十亿美元在北卡罗来纳州查塔姆县（chatham county）建造碳化硅（sic）材料制造工厂。

来源：广东省工信厅2022-09-08

大力发展新能源用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率器件及模块，进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：中国中车2022-08-24

科技创新绿色引擎借助本次展会，中国中车以科技创新为引领，以产业突破为引擎，相继发布了基于sic打造低碳新能源汽车核心动力系统、“一机一储”创新概念与关键技术、风机故障智能诊断及运维指导系统、风电动力装备关键技术

来源：阳光电源2022-08-12

此外，sg320hx还采用了第三代半导体碳化硅sic器件，显著提升发电效率；选择更大功率逆变器，也减少了交流线缆、箱变低压开关等设备的用量，大幅降低初始投资成本，据统计100mw电站可节省投资约100万

来源：北极星储能网2022-07-01

公司官网显示，重投天科是一家专业从事第三代半导体碳化硅（sic）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。

来源：北极星储能网2022-06-21

它突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题，充分发挥了sic功率器件的高效、高频、耐高温优势。...sicmosfet芯片下表面采用烧结工艺，相比传统焊接工艺模块，连接层导热率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；芯片上表面采用烧结工艺，因烧结层具有的高耐温特性，sic模块工作结温可提升至175

来源：重庆市招商局2022-06-10

材料环节，重点引进大尺寸硅片、光刻胶、溅射靶材、封装基板等关键材料项目，以及sic（碳化硅）、gan（氮化镓）等第三代化合物半导体材料项目。2．新型显示。

来源：重庆市招商局2022-06-10

材料环节，重点引进大尺寸硅片、光刻胶、溅射靶材、封装基板等关键材料项目，以及sic（碳化硅）、gan（氮化镓）等第三代化合物半导体材料项目。2．新型显示。

来源：广州市人民政府2022-06-06

瞄准国际集成电路龙头企业，积极引进下一代先进工艺、大尺寸晶圆生产线，扩大晶圆制造规模，重点发展氮化镓（gan）、碳化硅（sic）为代表的第三代半导体材料和电子专用合金、铜带、多层敷铜板、印制线路板、集成电路引线

来源：广州市人民政府2022-06-06

瞄准国际集成电路龙头企业，积极引进下一代先进工艺、大尺寸晶圆生产线，扩大晶圆制造规模，重点发展氮化镓（gan）、碳化硅（sic）为代表的第三代半导体材料和电子专用合金、铜带、多层敷铜板、印制线路板、集成电路引线