2006-08-29

据介绍，我国led产业已初步形成了从外延片生产、芯片制造、器件封装到集成应用比较完整的产业链，但在led上游差距非常大，主要是mocvd(金属化学气相沉积设备)外延材料水平不高、规模不大、投入不够、人才缺乏

2006-02-22

针对对我国设限的关键设备，如光刻机、mocvd、离子注入机等，以及新型半导体材料，如氮化镓、soi材料等，开展自主创新，争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。 　　

2005-02-05

通过近三年上千炉的mocvd材料生长实验和上百次的器件工艺实验，课题组艰苦攻关，积极创新，攻克了氮化镓基激光器研究中材料生长、器件工艺、器件测试等一系列技术难题，将氮化镓材料本底电子浓度降到小于5x1016

2005-01-28

在平板显示器件(fpd)方面，tft-lcd的生产中采用了大面积制版、大面积光学曝光、多室磁控溅射、多室pecvd等诸多半导体设备；led的生产设备则包括mocvd、lpe在内的全套半导体设备；此外，pdp

2004-11-23

其次,从资金方面也有较大的投入，很多研究单位(大学)为了深入并扩大研究相关课题，投入大量资金，购置新的mocvd外延设备，如中科院半导体所、南昌大学、厦门大学等单位。...许多有实力的前工序企业正在加大投资力度，购置新设备，如厦门三安、深圳方大、江西联创、上海北大蓝光等单位均在购置新的mocvd外延设备和芯片制造设备，以增强研发力度和扩大产业化规模。

2004-10-15

在信息产业部2003年电子信息产业发展基金招标项目中，中国电子科技集团公司第四十八研究所的四元化合物材料生长用金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备中标。...此外，由中国电子科技集团公司第四十五研究所研制的8英寸硅片半自动划片机、全自动键合机，中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的gan mocvd设备，北京创威纳公司开发的icp刻蚀机、台阶仪，北京象运通真空设备厂研制的

2004-08-30

在信息产业部2003年电子信息产业发展基金招标项目中，中国电子科技集团公司第四十八研究所的四元化合物材料生长用金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备中标。...此外，由中国电子科技集团公司第四十五研究所研制的8英寸硅片半自动划片机、全自动键合机，中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的gan mocvd设备，北京创威纳公司开发的icp刻蚀机、台阶仪，北京京运通真空设备厂研制的