来源：北极星电力网2013-10-23

作为我国最早开发大功率高压igbt器件技术及产业化的企业，中国南车旗下的南车时代电气通过走出去、引进来和自主创新相结合的道路，走出了一条独具特色的产业发展之路。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

中大功率应用将会在未来3-5年内看到国产igbt器件。从华润上华分立器件产品开发中心总经理吴宗宪回答可以看出，他对国产igbt的发展前景充满信心。...行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向，只有两三家高校和研究机构还在进行igbt

来源：半导体应用联盟2013-09-23

中大功率应用将会在未来3-5年内看到国产igbt器件。从华润上华分立器件产品开发中心总经理吴宗宪回答可以看出，他对国产igbt的发展前景充满信心。...行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了sic和gan宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向，只有两三家高校和研究机构还在进行igbt

来源：中国传动网2013-09-22

预计到今年年底，上海永济电机公司将形成完善的igbt器件封装设计、制造平台，产能达到焊接型和压接型igbt模块30万只、智能igbt模块400万只。

来源：工信部2013-06-24

高效电机控制技术 研究基于国产igbt器件及装置的电机变频技术，应用半导体驱动、工频驱动等先进的驱动和调速方式，对电机运行进行优化控制。

来源：中国知识产权报2013-04-19

以东南大学为例，东南大学的专利申请大部分涉及soi-igbt，soi-igbt器件在国际上也属于科研热点，但目前国内产业化程度不高，研究成果并未充分发挥其真正价值。

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

随着研发人员对igbt器件物理的深入理解和微电子工艺的进步，igbt正向导通时漂移区非平衡载流子浓度分布控制以及关断时快速抽取的所谓集电极工程、表面电子浓度增强的栅工程、igbt芯片内含续流二极管功能的逆导型

来源：21CN2013-02-21

长城电工增发预案显示，此次募集资金将用于智能化新领域中高压开关设备产业化、智能低压电器技术升级及产业化、基于igbt器件的变频与逆变装置产业化和长城电工技术研发中心4建设项目。

来源：OFweek太阳能光伏网2012-11-23

高压大功率igbt功率器件的发展要求高质量的单晶硅，对硅晶体中杂质和缺陷的控制要求极高，因而，在将来相当长一段时间内6英寸及以上大直径区熔单晶硅始终是制造igbt器件的主要基础材料。...在应用领域上主要是用于igbt器件、高压整流器、大功率晶闸管，可控硅、电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器以及国防建设、航天、航空和航海等尖端科技领域，对国民经济发展和国防建设有着十分重要的作用

来源：电源网2011-06-28

spwm波控制采用二重化方式，即同一桥臂上下两只igbt器件为互补通断，对角器件不同时通断，产生两路控制信号的调制波相位相同，但载波相位相差180°，因此，在相同开关频率下，等效调制比增加一倍，可有效改善输出波形

来源：搜狐IT2011-06-15

一般来说，在逆变器系统设计中，选择igbt器件的基本准则是提高转换效率、降低系统散热片的尺寸、提高相同电路板上的电流密度。

来源：电源网2011-05-13

spwm波控制采用二重化方式，即同一桥臂上下两只igbt器件为互补通断，对角器件不同时通断，产生两路控制信号的调制波相位相同，但载波相位相差180°，因此，在相同开关频率下，等效调制比增加一倍，可有效改善输出波形

来源：百度文库2011-05-03

(2)igbt型crowbar电路，如图2所示，每个桥臂由两个二极管串联，直流侧串入一个igbt器件和一个吸收电阻。...在正常运行时，这些可控硅全部导通，在电网电压跌落与恢复期间，转子侧可能出现的最大电流随电压跌落的幅度的增大而增大，为了承受电网故障电压大跌落所引起的的转子侧大电流冲击，转子侧励磁变流器选用电流等级较高的大功率igbt

来源：百度文库2011-04-25

(2)igbt型crowbar电路，如图2所示，每个桥臂由两个二极管串联，直流侧串入一个igbt器件和一个吸收电阻。...在正常运行时，这些可控硅全部导通，在电网电压跌落与恢复期间，转子侧可能出现的最大电流随电压跌落的幅度的增大而增大，为了承受电网故障电压大跌落所引起的的转子侧大电流冲击，转子侧励磁变流器选用电流等级较高的大功率igbt

来源：电源门户网2011-04-04

三、电力电子市场商机巨大，本土功率器件商还需努力 中国高铁、电动汽车、智能电网的巨大投资，让电力电子市场的大功率器件如igbt、高压mosfet需求暴涨，有关数据显示，未来igbt器件的年复合增长率会在

来源：21IC2011-03-24

图3 变压器耦合输出型逆变器拓扑变压器耦合输出型逆变器只需3个独立的三相逆变器就可以产生中高压输出，在运行时每个逆变器都是平行的，各提供1/3的输出功率，因此为高压系统使用低压igbt器件提供了方便，这种平衡运行状态也使得直流侧电容不需要储存太多的能量

2007-01-23

在即将于上海举行的2007年慕尼黑电子展上，当今最领先的igbt器件供应商（，如三菱电机、塞米控、富士电机和英飞凌半导体等）领先企业将为广大的中国机电产品设计师带来他们开发的最新igbt产品。