来源：北极星太阳能光伏网2011-12-19

首次提出了纳米除硼的新技术并自主开发了高真空除磷和电子束除磷工艺技术；建成50公斤级的太阳能级硅材料的试验性工艺线，形成具有自主知识产权的完整工艺路线；所获得硅材料中硼含量达到0.5~0.6ppm，磷含量达到0.2~0.3ppm，纯度达到6n，少子寿命为

来源：互联网2011-12-16

获得的硅材料硼含量达到0.5~0.6ppm，磷含量达到了0.2~0.3ppm，纯度达到了6n，少子寿命为16s，达到项目任务书指标的要求；本专题技术获得的硅材料经省内外电池企业用成熟生产工艺，在标准尺寸的单晶片上制备出平均效率

来源：中国科学院2011-12-15

获得的硅材料硼含量达到0.5~0.6ppm，磷含量达到了0.2~0.3ppm，纯度达到了6n，少子寿命为16s，达到项目任务书指标的要求;本专题技术获得的硅材料经省内外电池企业用成熟生产工艺，在标准尺寸的单晶片上制备出平均效率

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-02

中盟中晶光伏科技有限公司拥有一支雄厚的技术研发团队，有各种先进的国内外自动化生产和检测设备，包括单晶硅生长炉、切断机、少子寿命测试仪等。

来源：北极星太阳能光伏网2011-10-28

金刚砂和悬浮液等辅料将硅棒切割成硅片；硅片清洗：用纯水将切好的硅片去除胶水，用硅片专用自动超声波清洗机去除硅片表面的附着物，使硅片表面洁净，并进行烘干处理；硅片检验：采用电阻率测试仪、寿命仪、氧碳测试仪等测试设备检测电阻率、少子寿命和氧碳含量

来源：Solarbe2011-10-13

在提高硅锭质量方面，刘杰认为，借鉴单晶生长技术，采用低压排杂可以降低碳含量；而采用真空退火工艺，可以减少硅锭头部杂质含量，特别是氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约

来源：solarzoom2011-09-16

tca氧化产生极低的界面态密度，同时还能排除金属杂质和减少表面层错，从而能保持衬底原有的少子寿命。...由于衬底的高少子寿命和背面金属接触点处的高复合，背面接触点设计成2mm的大间距和2001lm的接触孔径。接触点间距需大于少子扩散长度以减小复合。

来源：21IC电子网2011-08-10

测试设备用：sentech生产se-400adv的激光偏振仪；semilab生产的wt-2000的少子寿命测试仪。...通过查阅相关资料，我们总结出sin薄膜较好的各参数范围：薄膜厚度在70～80nm之间，膜厚差应小于5nm，折射率2．0～2．1之间，4nd在630nm左右，少子寿命越大越好，腐蚀速率越小。

来源：光能杂志2011-06-21

凤凰光伏准单晶硅片的基本参数导电类型：p 尺寸：156mm×156mm电阻：0.5—3ω.cm 少子寿命：≥2μs厚度：200μm±20/180μm±20 ttv：≤30μm弯曲度：≤30μm 线痕：≤

来源：搜狐IT2011-06-15

n型单晶硅及其硅处理技术参数达到国际先进水平，是目前国内唯一能达到少子寿命超1000微秒的太阳能级单晶硅。

来源：索比太阳能2011-04-08

该项目2010年9月1日开始施工，2011年1月14日第一根单晶硅棒拉制成功，2011年3月30日生产出第一炉多晶硅锭，2011年4月1日，生产出了第一批硅片，经检测电阻率、少子寿命等各项指标均符合国家标准

来源：中国新能源网2008-10-29

但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。