来源:伊顿2026-09-04
早在sst项目开发初期,伊顿采用搭载aln dcb(氮化铝陶瓷基板)的英飞凌1200 v sic m1h模块方案,在当时实现了行业内优秀的功率密度表现,这种对技术优化的持续追求,为后续平台演进奠定了技术基础
来源:上海市人民政府2026-08-28
(七)第四代半导体开展氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带和锑化物等超窄禁带技术研发,加速实现功率、射频、传感等场景应用。
来源:上海市人民政府办公厅2026-08-26
来源:福建省人民政府2026-08-21
支持宽禁带半导体材料的高纯度、大尺寸研发,前瞻布局金刚石、氮化铝、氧化镓等第四代半导体材料。培育钙钛矿光伏材料、高性能发光材料、巨量转移胶材、柔性显示封装胶及高端光学薄膜等材料。...支持宽禁带半导体材料的高纯度、大尺寸研发,前瞻布局金刚石、氮化铝、氧化镓等第四代半导体材料。培育钙钛矿光伏材料、高性能发光材料、巨量转移胶材、柔性显示封装胶及高端光学薄膜等材料。
来源:福建省人民政府2026-08-17
支持宽禁带半导体材料的高纯度、大尺寸研发,前瞻布局金刚石、氮化铝、氧化镓等第四代半导体材料。培育钙钛矿光伏材料、高性能发光材料、巨量转移胶材、柔性显示封装胶及高端光学薄膜等材料。...发展储氢气瓶用、大丝束及热塑性碳纤维复合材料、高性能镁/钛合金、低膨胀陶瓷及微晶玻璃、高端钨钼硬质合金及超高强度特种不锈钢,突破高频微波介质陶瓷、高热导氮化铝陶瓷、超薄柔性玻璃及高世代显示玻璃基板及航空防弹玻璃核心技术
来源:重庆市万州区人民政府2026-06-08
氧化镓、砷化镓、氮化镓、氮化铝等化合物半导体材料电子新材料。...加快新型半导体材料发展,探索6n级以上金属镓制备与提纯,加大氮化镓等材料规模化制备与应用,开展氧化镓、氮化铝等材料及制备技术工艺攻关。
来源:淄博市人民政府2026-04-30
高导热陶瓷等新型功能陶瓷材料,铝合金压铸、泡沫铝、金属储氢、钛及钛合金粉体等新型金属功能材料,光功能玻璃及玻纤、电磁功能玻璃、机械性功能玻璃等功能玻璃和新型光学材料,燃料电池质子交换膜、氯碱离子膜等新型膜材料,高纯氧化铝、高纯氮化铝等高纯元素及化合物
来源:淄博市人民政府2026-04-28
来源:国瓷材料公告2026-04-09
据了解,国瓷材料是太空光伏领域的重要配套材料商,其氮化铝、纳米氧化锆等陶瓷材料用于星载设备的热管理与封装,解决太空光伏电池和ai芯片的散热难题。...其中,公司的陶瓷涂层技术可提升电池抗辐射能力,硫化物电解质核心原料也已送样航天级固态电池研发,直接服务于太空光伏的能源系统;子公司国瓷赛创生产的氮化硅/氮化铝陶瓷管壳,是低轨卫星射频组件封装的必需材料,
来源:深圳市科技创新局2025-04-01
7.新型宽禁带半导体器件及车规级芯片布局碳化硅和氮化镓等第三代宽禁带和氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代超宽禁带的新型半导体器件开发,研究异质集成及高功率密度集成供电芯片,研究新型器件结构、3d封装和集成冷却技术
来源:泸溪县人民政府2024-11-04
②湖南省纳米级高纯氮化铝粉体材料工程技术研究中心,主要服务支撑产业为半导体产业和陶瓷产业。
来源:重庆市人民政府2024-10-10
研究氧化镓、氮化铝镓、合成锑化物等第四代半导体材料制备技术,探索发展先进晶体材料、aie材料(聚集诱导发光材料)、电子陶瓷材料、碳基电子材料。(16)微结构材料。
来源:广西大数据发展局2024-08-28
针对第三代半导体高纯铝、高纯铟等材料外延生长、氮化铝镓表面开裂问题,对铝基板、陶瓷基板制造工艺等开展技术攻关。7.卫星时空技术。
来源:中核集团2024-04-22
“677天的运行时间内,一旦靶件经受不住辐照考研破裂,其内部的氮化铝粉末就会散入堆芯形成异物风险,虽然之前经历了万千实验,我是有充足信心的,但不到答案最终揭晓的那一刻,心始终还是悬着。”
来源:淄博市人民政府2024-02-27
淄博金箭医疗器械有限公司高端医用设备及耗材生产项目205 威凯海思(山东)生物工程有限公司益生菌冻干粉技术改造项目206 淄博铭建新型材料有限公司新能源保温板生产技术改造项目207 山东瞻驰新材料有限公司氮化铝项目
来源:广东省发展和改革委员会2024-02-01
大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等半导体材料制造,支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造。
来源:宁夏回族自治区人民政府2024-01-30
全国首台超大型采煤输送装备、首套特大型风电轴承装备、首条氮化铝全产业链、首批高产长寿奶牛等一批关键核心技术取得突破。
来源:湖南生态环境2023-12-27
该鞭炮烟花制造厂堆放的hw48有色金属采选和冶炼废物系二次铝灰,里面含有大量氟化物、氰化物、碳化铝、氮化铝等有害物质。
来源:基本半导体2023-06-03
基本半导体推出的全新封装sot-227碳化硅肖特基二极管,采用氮化铝(aln)陶瓷基板,具有热导率高、强度高、热膨胀系数低等优点,氮化铝陶瓷基板热导率(170~230w/mk)是氧化铝陶瓷基板的9.5倍