来源：控制工程网2012-01-10

年传感器发展重点传感器技术(1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

来源：中国机械工业集团公司2011-08-24

该项目采用先进的微电子和微机械加工相结合的工艺技术，在硅电容传感器设计、制造工艺技术、传感器封装结构等方面具有创新性，解决了硅电容传感器研制的工艺技术难题，开发研制出完全拥有自主知识产权的新型高性能硅电容差压传感器产品

来源：仪表网2011-05-13

听取了项目组的详细汇报，考察了研制现场及实物，经过质询和评议一致认为： “传感器测试关键共性技术研究”项目突破了高性能传感器“试验装置高效高压多波形控制”、“批量检测系统弱信号检测”、“可靠性强化试验”等关键技术，在硅电容传感器批量测试系统的

来源：电子产品世界2010-10-28

传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

来源：中国传动网2010-10-14

发展重点 传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-21

传感器 　(1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-03

传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2005-07-21

传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器：如用微硅电容传感器

2004-12-31

）mems工艺和新一代固态传感器 　　①微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺； 　　②封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺； 　　③新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-12-20

　　传感器技术 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器：如用微硅电容传感器