来源：中国工控网2021-03-19

根据半导体有关理论分类分为半导体力敏、热敏、光敏、气敏等固态传感器。按制造工艺分类可分为集成传感器、薄膜传感器、厚薄传感器和陶瓷传感器。按输出量分类按输出量分类有开关量、模拟式和数字式传感器。

来源：中国电子报2013-06-13

传感器未来技术方展方向1、mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;2、集成工艺和多变量复合传感器微结构集成制造工艺

来源：控制工程网2012-01-10

2012年传感器发展重点传感器技术(1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器

来源：电子产品世界2010-10-28

传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

来源：中国传动网2010-10-14

发展重点 传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-21

传感器 　(1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-03

3.发展重点 3.1 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺

2006-02-10

　　从中国科学院电子学所得知，第16届固态传感器、执行器与微系统国际会议将于2011年在北京举行，此次获得最高学术会议主办权标志着我国传感技术领域的发展水平得到了国际同行的认可。...固态传感器、执行器与微系统国际会议（简称transducers）是国际传感技术领域规模最大、层次最高的学术会议，自1981年在美国波士顿首次召开以来，每两年轮流在美洲、欧洲、亚洲及大洋洲举办。

2005-07-21

发展重点 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器

2004-12-31

三、重点发展的前沿及关键技术 　　1、传感器技术 　　发展重点是： 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器 　　①微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺； 　　②封装工艺：如常温键合倒装焊接

2006-12-20

发展重点 　　传感器技术 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器

2007-04-13

icinsights表示：“约有80%的固态传感器和致动器有用微电机系统(mems)技术，以完成变换器功能。” 　...从历史上来看，固态传感器一直主要用于汽车应用，但便携消费电子产品、通讯和工业系统等领域中的新用户，将改变这个市场。