来源:PVInfoLink2021-09-17
当前,hjt生产效率已完全步入24%+时代,且后续提效路线较多如smbb,微晶硅替代非晶硅等,新的提效路线设备依赖程度均较高,随着设备的不断升级,设备厂商和制造商均声称2022年hjt有望实现25.00%...最大的不同即为背面引入了隧穿氧化层+掺杂薄多晶硅层, 当前主流的工艺为通过热氧法生长约1.5-2nm的隧穿氧化层,同时通过lpcvd方法沉积150-200nm的薄多晶硅层,再辅之磷扩进行掺杂,但是该技术路线生产效率低且伴随绕镀的问题导致良率偏低