来源：北极星环保网2019-09-10

重点支持电动车用大功率igbt、碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的芯片、器件、功率模块等关键零部件和相关核心材料，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术，氢燃料电池电堆制造、系统集成、

来源：动力电池网2019-08-26

为了使ds18b20在动态转换周期中获得足够的电流供应，当进行温度转换或拷贝到e2存储器操作时，用mosfet把i/o线直接拉到vcc就可提供足够的电流，在发出任何涉及到拷贝到e2存储器或启动温度转换的指令后

来源：北极星电力网2019-06-18

核心技术有四端控制技术，通过特殊工艺将常规的 三端 mosfet（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的源极 s 和衬 底电极 b 打开，在两极之间加接偏置电压 vbs，可实现 mosfet 的阈值电压 vth

来源：北极星输配电网2019-06-17

核心技术有四端控制技术，通过特殊工艺将常规的 三端 mosfet（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的源极 s 和衬 底电极 b 打开，在两极之间加接偏置电压 vbs，可实现 mosfet 的阈值电压 vth

来源：河北省工信厅2019-04-16

氮化镓、碳化硅材料、外延用材料、高导热陶瓷、高性能陶瓷基板及外壳、低温共烧陶瓷多层基板等研发与产业化；大尺寸靶材、电子化学品、石墨烯、金刚石、电子特气等材料研发与产业化；igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：IGBT人2019-03-26

二是，在细分的功率mosfet、igbt分立器件、标准igbt模块市场份额均全球第一。下面我们来看一看排名前五的公司都有哪些？

来源：氢云链2019-02-22

2019年第一批扶持计划”，指出要重点发展纯电动汽车、混合动力汽车、燃料电池等新能源整车以电池、电控、电机、充电设备、直流变换器等关键零部件材料、制造和装备；重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet

来源：北极星输配电网2019-01-22

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。...重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。2.先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：北极星电力网2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。...重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。2.先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：深圳市发改委2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。...重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。2.先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：北极星储能网2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：深圳发改委2019-01-21

重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。（二）先进核能核电站及其配套技术及设备。...重点支持电动车用大功率igbt芯片及碳化硅mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件，车载储氢系统以及氢制备、储运和加注技术研发及产业化。2.先进核能核电站及其配套技术及设备。

来源：北极星环保网2018-12-21

生产装置14、26万吨/年以下丙烯腈生产装置15、60万吨/年以下乙烯裂解装置16、5万吨/年以下醋酸乙烯生产装置17、间歇焦炭法二硫化碳工艺三、电子信息1、4英寸硅晶圆制造2、分立元器件生产（igbt、mosfet

来源：电子发烧友网2018-11-12

所选mcu 必须能检测负载电流以及能通过开/关输出mosfet 升高或降低输出电压。这需要一个高速片上adc 来采样电压和电流。微型逆变器设计没有“一成不变”的模式。

来源：电子元件技术网2018-10-26

另外，ti的mosfet驱动器（如ucc37321或ucc37323）可以直接驱动小马达或驱动功率器件，如mosfet或igbt。...在这类大型机械驱动机构中的mosfet通常容量超过600v。例如，ti有栅极驱动解决方案tps2829，一个同相高速mosfet驱动器。

来源：佐思汽车研究2018-10-16

如图所示，实际的连接还有很多的细节，在拆解过程中发现，为了有效的做好这些连接，使用了大量的激光焊接的工艺，来把mosfet与铜母线相连。...si igbt与sic mosfet的技术有相通之处，拥有igbt技术有利于开发sic产品。sic基板材料技术短缺，严重制约中国、德国和美国的sic元件的发展，同时也无法降低成本。

来源：全球能源互联网期刊2018-09-26

在数字化电池能量交换系统中，模拟能量流被以网络化连接的高频mosfet电力电子开关离散化成为时间序列上的“能量片”(energy slice)，离散化后的“能量片”上附加其他信息数据，如电池资产的所有者

来源：供用电杂志2018-09-10

在模块内部这种低电压场合，功率mosfet较igbt在效率上更具优势。由于单个模块电压的降低，模块功率的减小，可以采用软开关技术进一步提高储能系统的效率。

来源：北极星电力网2018-09-05

在此，我们诚挚地邀请您参与英飞凌&北京晶川共同举办的coolsictm 碳化硅功率mosfet技术、器件和应用网络研讨会，共同探讨碳化硅的最新技术与应用。

来源：科技部2018-06-06

项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷sic外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及mosfet关键工艺和量产技术、高压氮化镓和碳化硅器件高频驱动技术