来源:北极星太阳能光伏网2011-08-12
对于首批入选2010-2011财年政府扶持计划的太阳能项目,该指南也要求,晶体硅技术项目的开发商必须使用印度本国制造的太阳能组件。
来源:中工网--《工人日报》2011-08-11
比如,利用太阳能光伏发电,电池起着关键作用,而在太阳能电池中,硅系太阳能电池目前是发展最为成熟的,但由于硅技术被德、日、美等国家的几个公司垄断,太阳能电池用的硅靠进口且价格不菲,因而使其建设成本加大。
来源:Solarbe2011-07-14
uni-solar公司表示,通过在nano-crystalline硅技术中融入使用一个三向连接结构,使这个小面积(0.25cm)的电池初始效率达到了16.3%。
来源:麻省理工科技创业2011-06-29
从理论上讲,薄膜技术每瓦成本低于硅技术。
来源:北极星电力新闻网2011-05-11
云南冶金集团冶研新材料股份有限公司引进改良西门子法及热法回收四氯氢硅技术、成套设备,云南铭永硅业有限公司引进日本向玛公司生产太阳能级和电子级多晶硅专利技术及冷氢法回收技术和成套设备,为云南发展光伏产业提供了强有力的技术支撑
来源:德州仪器(上海)有限公司2011-04-22
ti 基于 arm 的嵌入式解决方案的优势:集成性: system-on-chip解决方案基于 ti 最先进的硅技术,并集成了 ethercat 的从站控制器。
来源:互联网2011-04-13
(六)保利协鑫能源控股有限公司/中/光伏系统有限公司:自主创新的最环保节能的炼硅技术及其产品 全球最大的硅片制造商之一中国保利协鑫公司下属江苏中能硅业及其兄弟机构中环光伏系统有限公司联合展示两项自主创新的新型环保节能光伏技术
来源:互联网2011-03-04
在 growian 时代,可控硅技术可应付大功率应用,但传导损耗很大,并且转换时间的性能很差,常常在 100ms 范围内。
来源:中国投资咨询网2010-10-12
7.4光伏电池的原材料分析 7.4.1中国多晶硅产业低端产品产能相对过剩 7.4.2我国多晶硅产业准入将出新规 7.4.3中国多晶硅产业加快破除海外垄断步伐 7.4.42009年我国首创太阳能冶炼高纯硅技术宣告成功
来源:索比太阳能2010-09-27
因此,开发低成本、低能耗和环境友好的太阳级硅技术迫在眉睫。冶金法是近年来针对太阳能级多晶硅的质量要求所发展起来的新工艺。
来源:中国能源报2010-09-08
对于0.73元/千瓦时的价格,如果是晶体硅技术路线,2012年仍然可以接受,只不过对投资商来说,内部收益率稍低一点。...曾维强说:“我们之前测算显示,按照运营商投资8%内部收益率计算,2012年国内晶体硅技术路线的发电成本在西部为0.8-0.9元/千瓦时之间,根据不同光照情况略有不同。
来源:环球光伏网2010-09-02
globepv.com 但是,对首批选入2010-2011财年政府扶持计划的太阳能项目,该指南要求,晶体硅技术项目的开放商“必须使用印度本国制造的太阳能组件”。
来源:索比太阳能2010-08-31
按照投资8%内部收益率计算,2012年国内晶体硅技术路线的发电成本在西部为0.8-0.9元/kwh之间.
来源:国际新能源网2010-07-15
可以肯定地说, “太阳能+电能”联合炼硅技术一旦走向产业化,光伏发电产业将向前迈出一大步。...另外,由于“太阳能+电能”联合炼硅技术采用了无坩锅作业,从而完全避免了坩锅污染,并且融合吸收了太阳能炼硅与中频炉炼硅的各种优势。不但只耗太阳能,同时提高了聚能能力与工作时间,可实现24小时不间断生产。
来源:互联网2010-05-14
成本下降优势 欧瑞康太阳能公司的薄膜硅技术相对于晶体硅具有明显的成本优势,并且正在取得更高的转换效率。此外,与其它大多数技术相比,该技术还具备多项长期竞争优势。...通过了严格的瑞士品质认证 欧瑞康太阳能公司的整套薄膜硅太阳能技术(包括amorphous(非晶硅)和micromorph)均获得了iec/tv rheinland的主认证,是首家获得此认证的薄膜硅技术提供商
2009-08-10
随着研究不断深入,太阳能电池的能效将进一步提高,越来越多前景广阔的其他非硅技术将涌入市场。
来源:扬州日报2009-06-29
太阳能发电的成本主要就是电池,太阳能电池采用晶体硅技术制造,其成本受硅价影响非常大。为此,作为国内太阳能光伏产业的领军企业,江苏顺大公司正千方百计地降低高纯度多晶硅生产成本。
来源:中国化工网2009-01-06
随着各大厂商薄膜技术的陆续投入和量产,短期内虽然不能完全取代晶体硅技术,但凭借其成本优势,市场份额将会迅速上升,迎来发展的春天。 3.产业链面临局部调整。
2006-09-14
未来10~20年,传统硅技术将进入成熟期(预测为2014年~2017年)。...从总体发展看,传统硅技术将一直延续到2047年(即晶体管发明100周年)才趋于饱和(即达到芯片特征尺寸的极限)和衰退。