北极星
      北极星为您找到“栅极”相关结果156

      来源:互联网2010-06-08

      为了易于理解,我们用在字母标记了每一颗mosfet开光管:s表示源极(source)、d表示漏极(drain)、g表示栅极(gate)。   

      来源:美通社2009-09-28

      adp2114经过了针对精密输出稳压的优化,支持高达2mhz的开关频率,具有经过优化的栅极压摆率,可为诸如adi公司最新的adc(模数转换器)等双电源轨和单电源轨器件,以及诸如dsp(数字信号处理器)和...adp2114双路输出、同步开关稳压器的关键特性和优点   --栅极压摆率已针对噪声敏感的应用进行了优化,同时可提供高达95%的高电源转换效率,使设计工程师能够加速产品上市时间,并提供更高的可靠性。

      来源:中华工控网2009-09-28

      adp2114经过了针对精密输出稳压的优化,支持高达2mhz的开关频率,具有经过优化的栅极压摆率,可为诸如adi公司最新的adc(模数转换器)等双电源轨和单电源轨器件,以及诸如dsp(数字信号处理器)和...adp2114双路输出、同步开关稳压器的关键特性和优点   --栅极压摆率已针对噪声敏感的应用进行了优化,同时可提供高达95%的高电源转换效率,使设计工程师能够加速产品上市时间,并提供更高的可靠性。

      来源:互联网2009-09-28

      该款pmic采用maxim专有的高压bicmos工艺设计,集成了一路升压调节器、3路大电流运算放大器、一个vcom校准器、用于栅极开启和栅极关闭电源的线性稳压器以及6通道电平转换器,能够满足基于gip的

      来源:互联网2009-09-27

      ir公司还开发了一种低栅极电荷(qg)的hexfet,使开关速度更快,同时兼顾通态电阻和栅极电荷两者同时降低,则r×qg的下降率为每年30%。

      来源:维库开发网2009-09-27

      在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合,设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。...同时,通过控制mosfet栅极信号电流可以降低器件的切换速率,从而降低电磁干扰(emi)。   6.spice模型   采用一个专用的模型可以进行逐周期的瞬态仿真,同时也可用于闭环仿真。

      来源:中国商务部网站2009-08-18

      农村电气化局执行主任称,为支持发展乌能源机构,其建立农村电气化基金,向私营机构项目发展商提供资金补贴、发展公共财政项目、为栅极接线或太阳能发电系统入网提供一次性消费前补贴。

      来源:中国新能源网2008-10-29

      驱动电路的设计与制作应精心进行,在使用功率mosfet时要可靠地使栅极驱动电路具有良好的性能。

      来源:中国电力新闻网2008-08-04

      在晶体管制程方面,45纳米、高-k金属栅极硅制程技术使得intel能够制造更快、更“酷”的环保型处理器。戈登?摩尔对45纳米技术大加赞赏。

      2006-06-13

      英特尔公司将在这次会议期间阐述由它开发的三栅极晶体管。据英特尔公司组件研究部门的主管迈克表示,在能耗量相同的情况下,三栅极晶体管的性能将提高35%。...虽然这样的原型产品已经被开发出来,但三栅极晶体管不会被应用在英特尔公司的0.045微米工艺中。他表示,我们认为0.032微米和0.022微米工艺用上三栅极晶体管还是很有机会的。

      2005-12-06

      其发展的方向是损耗更低,开关速度更快、电压更高,容量更大(3.3kv、 1200a), 目前,采用沟道型栅极技术、非穿通技术等方法大幅度降低了集电极一发射极之间的饱和电压的第四代igbt也已问世。

      2005-07-13

      来自清华大学、西安交通大学等高校的专家组成的鉴定委员会认为,该项目具有创新性的自主知识产权,是一种高效节能、技术独特新颖的成果,其在igbt(绝缘栅极晶体管)元件直接串联技术、共模电压抑制技术、输出电压正弦波控制技术等高压变频器的关键技术和主要性能方面已达到国际领先水平

      2004-02-11

      威罗纳尔表示,由于新的绝缘材料与现有的硅栅极不兼容,英特尔公司还将在栅极中使用金属材料。   英特尔公司没有披露新材料的成份。

      2003-11-12

      威罗纳尔表示,由于新的绝缘材料与现有的硅栅极不兼容,英特尔公司还将在栅极中使用金属材料。   英特尔公司没有披露新材料的成份。

      2003-03-28

      另外,新的mosfet最小化输入容抗和栅极电荷,简化驱动电路,同时提高开关性能。 新的特性使新的irf8010 mosfet在隔离的拓扑,高效率ups和dc-dc转换器中,成为首要的理想选择。

      2007-01-17

      这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。   ...另外可通过加大栅极长度和采用更高的阈值降低器件的漏电流。   目前多核结构分为两种,一种是对称式的,另一种是非对称的。对称的双核结构,可将双核的外部总线连在一起。

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