来源：深圳市人民政府2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星环保网2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星碳管家网2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：东莞市发改局2022-12-16

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改委2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改局2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：驻马店市工业和信息化局2022-12-08

重点引进10.5代及以上液晶、6代柔性oled（有机发光二极管）、8.5代及以上oled、中小尺寸oled柔性面板、led灯珠、控制器、系统软件开发等项目，加快5代薄膜晶体管液晶显示器生产项目建设。

来源：驻马店市工业和信息化局2022-12-08

重点引进10.5代及以上液晶、6代柔性oled（有机发光二极管）、8.5代及以上oled、中小尺寸oled柔性面板、led灯珠、控制器、系统软件开发等项目，加快5代薄膜晶体管液晶显示器生产项目建设。

来源：驻马店市人民政府2022-12-07

重点引进10.5代及以上液晶、6代柔性oled（有机发光二极管）、8.5代及以上oled、中小尺寸oled柔性面板、led灯珠、控制器、系统软件开发等项目，加快5代薄膜晶体管液晶显示器生产项目建设。

来源：深圳发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。