来源：北极星碳管家网2023-02-20

有限公司颗粒过滤器及载体三期扩建项目半导体用高纯金属及合金靶材项目离子医学中心医疗验证基地项目电子级聚酰亚胺膜材料项目合肥高新区再生资源循环生态链项目蓝讯微型器件模块生产项目彩虹光伏三期超薄高透光电玻璃生产项目第10.5代薄膜晶体管液晶显示器

来源：北极星环保网2023-02-20

有限公司颗粒过滤器及载体三期扩建项目半导体用高纯金属及合金靶材项目离子医学中心医疗验证基地项目电子级聚酰亚胺膜材料项目合肥高新区再生资源循环生态链项目蓝讯微型器件模块生产项目彩虹光伏三期超薄高透光电玻璃生产项目第10.5代薄膜晶体管液晶显示器

来源：国家电网报2023-02-14

多项自主化攻关技术应用，助力示范工程安全稳定运行除了在能量路由器技术和设计建造上开展创新，国网智研院还在随州广水科技示范工程建设中围绕数字化绝缘栅双极型晶体管（igbt）驱动芯片技术、自主化直流电压互感器技术

来源：深圳市人民政府2023-02-10

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2023-02-10

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2023-02-10

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星电力网2023-01-28

20世纪60年代率先在国内研制成功无位错硅单晶，为我国硅平面型晶体管和集成电路的发展做出了贡献。

来源：深圳市人民政府2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星环保网2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星碳管家网2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：东莞市发改局2022-12-16

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改委2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改局2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：驻马店市工业和信息化局2022-12-08

重点引进10.5代及以上液晶、6代柔性oled（有机发光二极管）、8.5代及以上oled、中小尺寸oled柔性面板、led灯珠、控制器、系统软件开发等项目，加快5代薄膜晶体管液晶显示器生产项目建设。

来源：驻马店市工业和信息化局2022-12-08

重点引进10.5代及以上液晶、6代柔性oled（有机发光二极管）、8.5代及以上oled、中小尺寸oled柔性面板、led灯珠、控制器、系统软件开发等项目，加快5代薄膜晶体管液晶显示器生产项目建设。