来源：同花顺金融研究中心2020-09-15

n型单晶硅较常规的p型单晶硅具有发电量高和可靠性高的双重优势,是未来高效电池的发展方向。

来源：纯科学2020-08-24

2019年，商用多晶硅perc电池的转换效率已经超过22.8%（阿特斯公司创造），单晶硅perc达24.03%（隆基公司创造），天合公司创造了24.58% n型单晶硅topcon电池中国最高效率。

来源：中国光伏行业协会CPIA2020-07-24

紧接着，晶科能源宣布其研发的n型单晶硅单结电池转换效率达到24.79%，刷新世界纪录。5、市场价格受疫情影响，下游需求不振，3-5月期间制造业各环节价格降幅较大。

来源：新能源沙龙 中信建投2020-06-17

晶硅晶硅同质结电池中，p型和n型单晶硅的禁带宽度为1.12 ev，此为其内建电场强度上限。p型异质结电池中的n型非晶硅、n型异质结电池中的p型非晶硅的禁带宽度均为1.7-1.9 ev。

来源：摩尔光伏2020-05-25

国内天合光能一直致力于ibc单晶硅电池的研发，2017年5月自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)n型单晶硅ibc电池效率达到24.13%;2018年2月，该电池的效率进一步提高到25.04%，开路电压达到

来源：宁夏工信厅2020-05-15

该项目总投资58亿元，建设单晶炉1600台，采用国际先进的rcz多次拉晶、n型单晶硅产品制备及金刚细线切片等技术工艺，通过基础生产加工单元自动化建设，最终建成高性能光伏发电硅棒及硅片全流程智能工厂，形成年产

来源：贺利氏可再生能源2020-05-14

◇ hjt在n型单晶硅上结合低温薄膜工艺，制作工序少典型的制作工艺，整个工艺通常不超过200℃，硅片本身受热损伤和热型变影响小，可以使用更薄的硅片。

来源：华创证券2020-05-08

2、n 型技术受青睐，产业化脚步渐行渐近n 型单晶硅通过在纯净硅晶体中掺入磷元素形成，自由电子为多子，空穴为少子。...相比于 p 型单晶硅，n 型单晶硅由于存在相对较多的自由电子，少子复合速率低、寿命高，且以磷为掺杂元素，无硼氧复合体，因此光致衰减小， 具备更大的效率提升空间，因而成为高效电池的优选项。

来源：摩尔光伏2020-04-29

表1 基于n型单晶硅衬底的hjt 太阳电池效率表小编注：2019年11月，汉能成都研发中心再次刷新高效硅薄膜异质结（shj）太阳能电池的世界纪录，其制备的冠军电池片，全面积（m2，244.45 c㎡）光电转换效率达到

来源：摩尔光伏2020-02-17

其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1．12ev，自然界中的原材料丰富，特别是n型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料［1-2

来源：海通证券e海通财订阅号2020-02-06

而近期a股兴起一股hit（异质结电池）的炒作风潮，其实就是n型单晶硅的技术路线，对比前者它具备更高效、衰减低、温度系数好、双面率高等突出优势。...多晶硅晶体的导电性远低于单晶硅（单晶硅由多晶硅加工提纯而来），所以随着单晶硅产能扩张，成本逐渐降低，为了追求更高的能源转化效率，开始逐渐过渡到单晶硅的技术路线，而单晶硅技术路线中目前也有两个分支：p型单晶硅和n型单晶硅

来源：老成之见2020-02-04

异质结电池在1997年实现量产：20世纪80-90年代，日本sanyo（目前已被松下收购）首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结光伏电池，在p型非晶硅和n型单晶硅的p-n异质结之间插入一层本征非晶硅薄膜

来源：招商证券机械团队2020-02-04

hjt通常采用n型单晶硅做为衬底，且在切割加工过程中会在表面层产生损伤层，通常使用碱性腐蚀液进行各向异性腐蚀，利用不同si晶面的腐蚀速度差异，在硅片表面形成3-6的金字塔结构，衬底表面的制绒效果直接影响电池的最终特性

来源：国金证券2020-01-31

我们预计 2020 年~2022 年 topcon 有望迎来扩产高峰hjt有望成为下一代主流电池片技术，迈为布局领先hjt 的技术原理为：以 n 型单晶硅(c-si)为衬底光吸收区，经过制绒清洗 后，其正面依次沉积厚度为

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2019-12-27

国内天合光能一直致力于ibc电池的研发，2018年其自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)n型单晶硅ibc电池效率达到25.04%。

来源：光伏荟2019-11-21

收购理由1：210大硅片加持，ibc成本将媲美percibc光伏电池有三大特点：一是正面无栅线无遮挡；二是采用高纯n型单晶硅；三是其制造工艺包括发射极都在电池背面。

来源：北极星太阳能光伏网2019-11-05

继perc电池之后，我国hit电池和topcon电池技术发展迅速，汉能创造了hit电池24.85%的中国最高效率，天合创造了24.58% n型单晶硅topcon电池中国最高效率。

来源：摩尔光伏2019-10-18

其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1．12ev，自然界中的原材料丰富，特别是n型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料［1-2

来源：摩尔光伏2019-06-18

2．2hit太阳能电池的工作原理以n型单晶硅为衬底的电池为例，hit太阳电池的工作原理［7］:当光照在hit电池表面上时，首先被p+-a-si层吸收，作为激发产生载流子的能量。

来源：材料导报、摩尔光伏2019-05-13

其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12ev，自然界中的原材料丰富，特别是n型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料。