hit电池以 n 型单晶硅片作衬底,正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco,再通过丝网印刷制作正负电极,呈双面对称结构。...非晶硅沉积:在清洗好的硅片两侧沉积本征和掺杂非晶硅薄膜,两侧共4层膜(i、n、i、p),在一台机器内完成,对应设备是pecvd,和perc的pecvd不通用。
hit电池以 n 型单晶硅片作衬底,正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco,再通过丝网印刷制作正负电极,呈双面对称结构。...非晶硅沉积:在清洗好的硅片两侧沉积本征和掺杂非晶硅薄膜,两侧共4层膜(i、n、i、p),在一台机器内完成,对应设备是pecvd,和perc的pecvd不通用。