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      北极星为您找到“硅衬底”相关结果119

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-04-27

      等离子体中的离子轰击和光子辐照,除了会影响沉积膜的质量,还会影响下面的衬底。光谱响应的研究结果表明对于蓝光区,hit太阳能光伏电池的光谱相应提高,而在红光区,光谱相应变低。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-04-24

      缺陷种类一:黑心片el照片中黑心片是反映在通电情况下电池片中心一圈呈现黑色区域,该部分没有发出1150nm的红外光,故红外相片中反映出黑心,此类发光现象和衬底少数载流子浓度有关。

      来源:电子工程世界2012-04-23

      本文介绍两种可延长光学路径长度并因此提高外延薄膜硅太阳能电池效率的技术:等离子绒面和在低成本衬底与活性层的界面处插入多孔硅反射镜。结果表明,这些措施可将外延薄膜硅太阳能电池的效率提高至14%左右。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-04-16

      但是p型衬底太阳电池最求高效率有其固有瓶颈。n型衬底太阳电池在获得高效率时增加了工艺难度,成本随之增高。因此,未来光伏产业及应用要在效率、成本、长期可靠性三个方面寻求某种平衡。(作者王文静)

      来源:solarzoom2012-03-14

      而且低温环境使得a_si:h基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制,工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中,单品硅片弯曲变形小,因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(约80m);同时低温过程消除了衬底在高温处理中的性能退化

      来源:科技部2012-02-13

      该课题主要任务是研发成功更高性价比的衬底led照明材料与芯片,推出第二代衬底led芯片,推动产业链和创新链向高端发展,逐步形成具有国际竞争的战略性新兴产业。

      来源:北极星太阳能光伏网2011-11-30

      安装在6英寸的衬底上,电镀铜触点转换效率可以达到21%以上。此项工作由imec和kaneka公司的工程师共同完成。

      来源:solarF阳光网2011-11-29

      电镀铜在透明导电氧化层上接触输电网,6英寸衬底的光电转换效率超过21%。当前,银浆丝网印刷技术是实现硅异质结太阳能电池的顶部电网电极的首选。

      来源:21世纪经济2011-11-23

      国家半导体照明工程研发及产业联盟副秘书长阮军表示,目前中国led衬底材料已具备产业化能力,但在外延片蓝宝石衬底材料量产能力不足,2010年下半年开始各地政府公布的蓝宝石衬底规划投资300亿元,产能规划是

      来源:新华网2011-11-16

      由于独创的衬底半导体照明技术节能环保成效显著,江西晶能光电有限公司连续两年入选全球清洁技术100强企业榜单。这份由世界知名清洁技术产业投资集团公布的晴雨表,被公认为全球清洁技术行业的领先信息来源。

      来源:北极星太阳能光伏网2011-09-26

      晶能光电(江西)有限公司是一家专门从事led外延材料与芯片生产的高科技企业,其所拥有的衬底氮化镓基led材料与器件技术是一种改写氮化镓基led历史的颠覆性新技术,具有原创知识产权,目前已获得或公开和申请国际国内发明专利达

      来源:中国江西网2011-09-21

      led:围绕衬底led技术作文章刘文华介绍,江西将围绕一个核心,即我省具有自主知识产权的核心技术衬底led技术;突出二个重点,即重点支持以衬底led为主的外延芯片产业化和重点发展封装、背光源、显示屏

      来源:中国化工网2011-08-19

      在这一辊贴膜工艺中,涂覆有机衬底材料、喂入表面薄膜和硅橡胶硬化都是自动连续工艺的步骤。可以使用一个刮刀或辊涂系统把elastosilsolar2200涂覆到要涂层的薄膜条上。

      来源:OFweek2011-08-01

      本文介绍两种可延长光学路径长度并因此提高外延薄膜硅太阳能电池效率的技术:等离子绒面和在低成本衬底与活性层的界面处插入多孔硅反射镜。结果表明,这些措施可将外延薄膜硅太阳能电池的效率提高至14%左右。

      来源:互联网2010-12-27

      据悉,我国芯片产业2009年产值达23亿元,芯片国产化率从29%上升到52%;具有自主知识产权的功率型衬底白光led芯片光效超过90lm/w;产业化功率型芯片光效达到100lm/w,通过国家863计划支持的国产芯片在示范工程中得到应用

      2004-05-19

      millipede芯片采用硅微加工技术(silicon micromachining technique),精确移动涂敷有聚合物薄膜的衬底,该衬底位于1024个独立寻址的20纳米读写头下部,读写头也由硅蚀刻而来

      2003-11-25

      否则,衬底将消耗信号功率。 该结构的加工是在ibm的t.j. watson中心采用标准200mm晶圆厂完成的。

      2003-10-09

      “绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术,它通过在晶体管的硅薄层和衬底之间使用超薄绝缘氧化层,能够减少电流干扰、降低能耗,显著提高晶体管性能。

      2007-01-17

      他们将含有金属微粒的蛋白质溶液涂布到玻璃和衬底上之后,金属微粒就会通过自组装按照基本固定的间隔进行排列。

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