来源:日经能源环境网2013-08-27
nedo称这是采用a-si、非晶sige(a-sige)和微晶硅三层构造的产品全球首次实现实用化,以前,夏普挑战三结型a-si太阳能电池的开发时,第二层也是a-si,存在层厚较厚的课题。
来源:PV-TECH2013-08-20
cigs走下坡尽管公认较非晶硅(a-si)和碲化镉(cdte)替代方案高效,可以导致同等规模较低的成本,然而铜铟镓硒(cigs)薄膜技术公司没有多少好转。
来源:中国电线电缆网2013-08-16
以前,si基的混合集成的实际制作工艺一直是相当复杂的,但近来,一些研究机构对传统倒装为基础的混合集成工艺作了改进,取得了较大进展。
来源:solarF阳光网2013-08-15
博世太阳能(阿恩施塔特,德国)和哈梅林太阳能研究所(isfh,emmerthal,德国)已经使用离子注入指叉背结背接触(ibc)技术,产生出了22.1%的高效晶体硅(c-si)的太阳能光伏(pv)电池。
来源:自动化技术网2013-08-13
来源:电子发烧网2013-08-01
而poly-si薄膜太阳能电池兼具单晶si和a-si的优点,制备工艺相对简单,适合产业化大面积生产。cigs薄膜太阳能电池效率较高,性能优越,建议科研工作者给予更多的关注。
来源:semi2013-07-18
另一方面,在使用sic和gan的时候,设计往往不像过去由si系功率半导体组成的电路那样顺利。其原因有两点,首先是功率半导体的性能参数不同,其次是,与功率半导体组合的周边部件和材料也需要多加注意。...sic器件和gan器件的特点是,工作温度比igbt和传统功率mosfet等si系器件的工作温度更高。有越来越多的技术人员打算在严酷的条件下使用采用sic器件和gan器件的电路,开始对其进行实际评估。
来源:国际新能源网2013-07-01
gan和sic器件优势大点兵为了理解gan和sic器件带来的性能优势,lux research分析师建模了分别采用si、sic和gan元器件的三种主要逆变器微型逆变器、串式逆变器和中央逆变器。
来源:国际电子商情2013-06-25
除了政策之外,产品效率仍然是业者追求的重点,除了传统硅基(si-base)产品外,tsmcsolar和solarfrontier也展示转换效率超过14%的冠军模组产品,表现出强烈的企图心。
来源:环球光伏网2013-05-30
iec 61646测试标准主要以非晶硅(a-si)技术为基础,旨在监测延长暴露在标准气候条件下的组件性能(最大功率)。
来源:EnergyTrend2013-05-20
)矽外延片与多晶(multi c-si)矽外延片的平均价格同步上扬,单晶(mono c-si)矽外延片的平均价格为$1.203 usd/piece,涨幅0.59%;而多晶(multi c-si)矽外延片则为
来源:北极星电力新闻网2013-05-09
林清民解释说,实际上,当科华渠道伙伴在行业中的影响力和地位凸现出来之后,还会有更多的行业si也能找到与科华合作的切入点。
来源:中国电子报2013-05-09
2.非晶硅si/n-si异质结太阳能电池日本三洋公司研发了非晶si/n-si异质结结构电池。...由于电池发电的p-n结位于电池背面,ibc电池需要si材料的少数载流子扩散长度远大于si片厚度。高质量si衬底要求及复杂制备工艺,使产业化的ibc电池的制备成本很高。
来源:国际电子商情2013-05-07
它将继续是占主导地位的薄膜技术,但isuppli公司预测,先进的asi/si技术,即串联和三结,以及cis/cigs技术,到2013年会与碲化镉平分秋色。...基于硅的薄膜包括非晶(asi)与微晶硅(si)的各种组合,主要根据成本和光吸收能力进行权衡。处于开发或早期生产阶段的是染料敏化太阳能电池(dssc),它使用吸光染料。
来源:江苏亨通电力电缆有限公司2013-04-25
总的来说,这些高强度铝合金均属于可热处理的al-mg-si合金系,且经历多年,合金的配方、元素组成基本未变,一直沿用至今,但随着技术的发展,在制造工艺和装备控制等方面有了新的发展。...高强度铝合金产品(以al-mg-si热处理型高强度铝合金导线为例),世界上先进工业国的应用面及发展趋势,铝合金导线与钢芯铝绞线相比,由于其强度高、重量轻,并有较好的导电性能(53%iacs)等优点。
来源:世纪新能源网2013-04-25
(multi c-si)矽晶圆的平均价格出现分歧,单晶(mono c-si)矽晶圆的平均价格为$1.216 usd/piece,跌幅0.41 %;而多晶(multi c-si)矽晶圆则为$0.914 usd
来源:EnergyTrend2013-04-22
美金报价方面,受到需求减弱的影响,多晶硅现货价持续下滑,平均价格来到$17.52usd/kg,跌幅为1.4%;在硅片方面,受到四月需求大致底定的影响,本周单晶(monoc-si)硅片与多晶(multic-si
来源:PV-Tech2013-04-22
pvxchange的数据还指出,日本晶体硅(c-si)光伏组件价格小幅下滑,可能由于更多的公司进军日本市场。
来源:大比特商务网2013-04-19
来源:SEMI2013-04-16
但是,由于mc-si的结构缺陷(如晶界和高密度位错),mc-si制造的太阳能电池在光电转换效率方面受到限制。为了克服mc-si的缺点,提出用有籽晶ds技术生产低缺陷密度的准单晶硅。