来源:新华社2011-09-14
十二五期间,我国应继续通过863、973等科研计划,支持多线切割机、pecvd镀膜设备、自动丝网印刷机等高端光伏电池生产设备和电子浆料、石英制品等基础材料的技术攻关。
来源:新华网2011-09-09
来源:北极星太阳能光伏网2011-09-09
买一座十二寸半导体厂动辄30亿美元,设一座8.5代线的面板厂动辄千亿元新台币,买一座太阳能厂或进口led的mocvd(有机金属化学汽相沉积)机台,都可为台湾创造民间投资成长,贡献gdp产值。
来源:中国网滨海高新2011-09-08
而作为led产业核心设备的mocvd,全球年产能不过300台。...依托上游产业优势,积极引进大功率封装、背光源、球泡、路灯、汽车用灯等中下游产业,做大应用产品规模;依托国家硅基led工程技术研究中心平台,加强mocvd设备研制工作,实现mocvd设备国产化;强化上游衬底材料
来源:新华网2011-09-07
来源:《中华工商时报》2011-09-07
二是以首台中国造太阳能薄膜制造装备lpcvd、pecvd,在正泰集团理想公司下线为标志,实现了产业结构由传统制造领域向光伏太阳能及半导体高端装备制造的方向转型。
来源:全球光伏网2011-09-05
此外,与市场中其他类型的pecvd相比,它具有优化的结构设计,故无需定期停机清洁腔体,确保了最长的连续运行时间。还有我们推出的新一代烧结炉c.fire,可以保证最高质量的工艺控制。...法特博士:例如我们新开发c.niteinline设备,是将我们具有多年实践经验的管式pecvd的优点和连续在线生产的创新技术完美结合。通过使用等离子体沉积实现了最长正常运行时间和最佳整体性能。
来源:普乐2011-09-02
众所周知,以等离子体增强化学气相沉积(pecvd)法生长的非晶硅和微晶硅材料,一直是薄膜太阳能电池制备中很有前景的材料。...近年来,普乐一直在做这方面的研发和生产,目前已经能在单室多片的平行模式pecvd系统中沉积出了均匀性很好的非晶硅锗薄膜了。
来源:《成都商报》2011-09-02
不怕温度高不怕光照低在成都也能广泛应用在整洁的车间里,成都商报记者参观了汉能控股集团薄膜太阳能电池生产线,这条生产线采用汉能自主研发的pecvd核心装备和工艺技术,已达到全球领先水平。
来源:《中国经济时报》2011-09-01
四大因素制约高聚光太阳能产业发展高倍聚光电池芯片一般采用ge衬底,利用mocvd外延工艺,分波段吸收太阳光以提高转换效率。目前,我国还不能大规模生产高聚光太阳能电池。
来源:环球光伏网2011-08-31
宝德采美国gtadvancedtechnologies先进的hydrochlorination合成技术,以及最新化学气相沉积反应炉(cvdreactor),与韩国oci多晶矽厂同步。
来源:中国能源报2011-08-31
来源:阿拉丁照明网2011-08-29
首期项目将在交地后6个月内动工建设,两年内竣工投产,项目总投资38亿元,计划购置100台mocvd设备及部分芯片生产线。...德力西在低压电器领域是靠价格占领市场的,但在高技术含量的mocvd领域,没有技术优势,仅仅靠价格战,德力西想复制低压电器领域的成功,恐怕很难。
来源:索比太阳能2011-08-23
gt先进科技宣布,韩国oci公司增加了对其包括最新一代sdrcvd反应炉的订单。新增订单使oci与gt的多晶硅生产设备和技术的订单增加了3300万美元,总订单额达2亿6900万美元。
来源:新浪地产2011-08-16
然后采用等离子体化学气相沉积法(pecvd)沉积非晶硅层,以形成叠层太阳电池结构,这是整个制造过程中最关键的工艺步骤。
来源:21IC电子网2011-08-10
由于影响pecvd系统淀积效果的参数很多,如气体流量和流量比,工艺腔温度,射频功率,沉积气压等等,而且对不同的pecvd设备会有不同的最佳参数,我们有必要就主要的控制参数进行研究,摸索出在这台pecvd
来源:Solarbe2011-08-10
日前,singulus技术公司宣布研制了一种新的电感耦合等离子体(icp-pecvd)覆膜设备,该设备用于晶体硅太阳能光伏组件的生产,将在第26届德国汉堡的eu—pvsec上展出。
来源:OFweek2011-08-08
产品主要有太阳能逆变器、射频电源、射频自动匹配器、射频功率分配器,广泛用于太阳能光伏系统、pecvd、真空镀镆、刻蚀等真空设备当中。公司于2000年进入半导体领域,已有11年丰富的行业经验。
来源:股市动态分析2011-08-08
在三结砷化镓太阳能电池外延片的领域,乾照光电拥有完全自主研发的mocvd技术,是国内最大的能够批量生产三结砷化镓太阳能电池外延片的企业之一。
来源:Solarbe2011-08-03
该订单包括gtsolar的全线多晶矽生产设备,包括用于生产三氯矽烷(tcs)的氢氯化反应设备、sdrcvd还原炉、籽晶生产系统及其他相关生产设备。