来源:英飞源技术2024-04-13
亮点四:全sic设计储能系统充放电效率主要取决于pcs模块,而pcs模块效率则取决于功率器件。...英飞源全液冷储能系统内部pcs采用了第三代半导体sic器件,能量转换效率较常规储能系统高2%以上,保证了系统高效率运行,提升运营收益。
来源:IESPlaza综合能源服务网2024-04-12
在直流变压技术方面,本项目研制的igct直流变压器中单个dab功率模块容量达1mw,相比于igbt/sic直流变压器dab模块,容量提升10倍以上,成本和体积减少1/3以上;在直流故障保护方面,本项目基于国产逆阻型
来源:北极星储能网2024-04-09
在刚刚结束的「超越一切向往」智己l6超级智能轿车发布会过程中,对标近期同级流量热议的小米su7产品力介绍过程中,由于团队内容审核疏漏,造成一处关键参数的错误标注,澄清如下:小米su7 max版前后电机均采用sic
来源:福建发改委2024-03-29
4 罗源福蓉源年产18万吨消费电子铝型材及加工项目5 罗源县北湾时代智造产业园6 同泰怡(福州)智能计算产业创新基地7 厦门安捷利美维科技高端封装基板及高端hdi生产能力建设项目8 厦门海沧区士兰明镓sic
来源:福建省数据管理局2024-03-28
来源:横河测量技术(上海)有限公司2024-03-26
这种需求在电力电子行业尤为突出,新一代功率器件碳化硅(sic)技术应用与生产的增长,推动了对更高测量精度的需求。dlm5000hd 系列支持多通道测量并提升了垂直轴的分辨率,从而满足了这些需求。
来源:福建省发展和改革委员会2024-03-26
来源:北极星储能网2024-03-11
充分发挥碳化硅在带隙能量、击穿场强、热导率等方面的优越特性,保障 sic 系统以更高的频率运行而不会损失输出功率,实现pcs能量转换效率达99%,系统整体效率≥92%,助力用户收益提高约6%。
来源:北极星储能网2024-02-22
另一方面,有企业已经推出了sic碳化硅储能pcs替代igbt模块方案。...sic以耐高压、耐高温、体积小、响应速度快等优势,且某种程度规避了igbt技术壁垒、产能受限的问题,目前已经逐步在部分龙头企业中得到应用,但大规模推广仍面临成本高等问题。
来源:北极星储能网2024-02-21
在关键信息技术产品领域,重点要加大光电子器件(高速光通信芯片等)、功率半导体器件(igbt、sic及gan等)、敏感元件及传感类器件等的补短板和国产替代;同时加快功率半导体器件等面向光伏发电、风力发电、...前十大企业中,安世半导体产品覆盖最为全面,基本上涵盖了二极管、mos、igbt、sic等主要品线;此外,士兰微、华润微、扬杰科技等老牌功率器件厂商产品也基本上覆盖了市场主流的mos和igbt产品;而比亚迪半导体和时代电气
来源:福建省发改委2024-02-06
柘荣力捷迅长效缓控释注射剂研发平台建设项目559 起帆平潭海缆基地项目560 厦门翔安区联芯集成电路制造项目561 厦门安捷利美维科技高端封装基板及高端hdi生产能力建设项目562 厦门海沧区士兰明镓sic
来源:东莞市人民政府2024-01-09
3.新材料领域核心区:依托散裂中子源大科学装置集群和松山湖材料实验室建设,以松山湖高新区、大朗镇、塘厦镇等镇街为核心,重点发展氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等第三代半导体材料和以oled、柔性显示等为核心的新型显示材料
来源:北极星输配电网2024-01-02
施行能源电子关键信息技术产品供给能力提升行动,面向光伏、风电、储能系统、半导体照明等,发展新能源用耐高温、耐高压、低损耗、高可靠igbt器件及模块,sic、gan等先进宽禁带半导体材料与先进拓扑结构和封装技术
来源:国家发改委2024-01-02
臭氧催化转化换热器3、新能源汽车关键零部件:电动汽车驱动电机系统(高效区:85%工作区效率≥80%),车用 dc/dc(输入电压100~400v),大功率电子器件(igbt,电压等级≥750v,电流≥300a;sic
来源:金升阳2023-12-25
一、产品介绍基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏svg行业,igbt/sic mosfet的应用广泛,而驱动电源作为专为igbt/sic mosfet驱动器提供驱动能力的来源
来源:中国能源新闻网2023-12-14
今年,双方持续深化合作,全力攻坚核心元器件国产化,实现国产sic-mosfet替代进口igbt功率芯片,并正式投入应用。...现场联调结果的成功,标志着首台基于国产sic-mosfet(碳化硅场效应管)的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运,处于国际领先水平。
来源:厦门市科学技术局2023-12-11
推动光电产品向高纯度、大尺寸、低成本方向升级,发展碳化硅(sic)、氮化镓(gan)芯片,打造以sic、gan为核心的第三代半导体产业链。...引进培育发展碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等器件,加快sic-肖特基二极管(sbd)、mosfet、绝缘栅双极型晶体管(igbt)等技术升级,协同牵引金属有机化合物化学气相沉积(mocvd
来源:厦门市科学技术局2023-12-06
来源:重庆市政府2023-12-01
现场可编程门阵列(fpga)等主机芯片,微控制单元(mcu)控制芯片、绝缘栅双极晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等功率类芯片和微机电系统(mems)传感器等,大力推进碳化硅(sic
来源:纳芯微2023-11-14
01纳芯微的sic+驱动类产品组合 1)第三代半导体sic器件,有效提高系统效率sic功率器件具有高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性,有助于降低能耗并缩小系统尺寸。