来源：绍兴市人民政府2022-11-09

重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术，建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心，研究和推动薄膜型探针卡技术产业化，重点实现a-ewlb量产及2.5d/3d封装等先进技术开发和量产，推进igbt、mosfet

来源：广州金升阳科技有限公司2022-11-03

三、产品应用作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt

来源：深圳发改委2022-10-18

支持车规级激光雷达、毫米波雷达、机器视觉、高精度地图、高精度定位、智能座舱等智能化领域，车用无线通信、云服务终端等网联化领域，车规级mosfet、igbt、mcu等半导体领域，先进动力电池、电机系统、电控系统等电动化领域技术研发

来源：重庆市人民政府2022-07-26

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市人民政府2022-07-26

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星碳管家网2022-07-19

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市人民政府2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星环保网2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：北极星储能网2022-06-09

据了解，基本半导体自2016年成立之初就聚焦研发碳化硅肖特基二极管和碳化硅mosfet芯片，经过多年技术攻关和产品迭代，碳化硅肖特基二极管和mosfet单管累计出货超过2000万只，在光伏储能、通信电源

来源：北极星储能网2022-06-08

预计未来新能源汽车上化硅mosfet的需求量将远超碳化硅二极管，无法生产高良率碳化硅mosfet的器件厂将失去市场。

来源：南宁市人民政府2022-05-26

抢抓新一代半导体制发展机遇，依托桂芯、科林集成电路封装测试项目和瑞声科技声学mems封测项目，实施特色存储芯片引进项目，突出特色，坚持不求大、不求最高工艺、务求实际可行的原则，在mems、mcu、mosfet

来源：南宁市人民政府2022-05-26

抢抓新一代半导体制发展机遇，依托桂芯、科林集成电路封装测试项目和瑞声科技声学mems封测项目，实施特色存储芯片引进项目，突出特色，坚持不求大、不求最高工艺、务求实际可行的原则，在mems、mcu、mosfet

来源：北极星环保网2022-05-11

中金岭南新材料与智能制造高端产业园163 vcsel光芯片项目164 深龙投智慧云谷大厦165 人工智能三维传感研发和产业化基地166 信利康总部大厦167 深圳综合粒子设施研究院综合楼168 新能源汽车用碳化硅（sic）mosfet

来源：重庆经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经信委2022-05-10

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市经济和信息化委员会2022-05-09

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/