北极星
      北极星为您找到“MOSFET”相关结果436

      来源:深圳市发改委2023-01-28

      本措施重点支持面向锂离子电池、钠离子电池、镁离子电池、液流电池等先进电化学储能技术路线的原材料、元器件(igbt、mosfet、dsp等芯片)、工艺装备、电芯模组、电池管理系统(bms)、能量管理系统(

      来源:深圳市发改委2023-01-20

      政企协作积极引进硅基igbt、sic mosfet等电子元器件制造商以及大型能源央企,持续提升储能产业链的安全性和稳定性。...其中提到,本措施重点支持面向锂离子电池、钠离子电池、镁离子电池、液流电池等先进电化学储能技术路线的原材料、元器件(igbt、mosfet、dsp等芯片)、工艺装备、电芯模组、电池管理系统(bms)、能量管理系统

      来源:北极星储能网2022-12-27

      晶能紧抓汽车电动化高增长趋势,以逆变器功率模块为切入点,通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力,开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品,服务于新能源汽车、电动摩托车、

      吉利在光伏又有新动作!这次是…

      来源:北极星太阳能光伏网2022-12-26

      浙江晶能以逆变器功率模块为切入点,通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力,开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品,服务于新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能等“双碳”产业场景

      来源:吉利科技集团2022-12-15

      晶能紧抓汽车电动化高增长趋势,以逆变器功率模块为切入点,通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力,开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品,服务于新能源汽车、电动摩托车、

      浙江绍兴:发展太阳能光伏、锂电池等行业领域应用

      来源:绍兴市人民政府2022-11-09

      重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术,建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心,研究和推动薄膜型探针卡技术产业化,重点实现a-ewlb量产及2.5d/3d封装等先进技术开发和量产,推进igbt、mosfet

      浙江绍兴科创走廊发展规划:实施浙江1000kV特高压交流环网、绍兴中北部电网优化及江滨、古越等500kV输变电扩建工程

      来源:绍兴市人民政府2022-11-09

      重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术,建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心,研究和推动薄膜型探针卡技术产业化,重点实现a-ewlb量产及2.5d/3d封装等先进技术开发和量产,推进igbt、mosfet

      高性价比4.8W双组输出IGBT驱动电源——QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列

      来源:广州金升阳科技有限公司2022-11-03

      三、产品应用作为igbt/sic mosfet专用驱动电源,可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动,以光伏svg系统为例,可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt

      来源:深圳发改委2022-10-18

      支持车规级激光雷达、毫米波雷达、机器视觉、高精度地图、高精度定位、智能座舱等智能化领域,车用无线通信、云服务终端等网联化领域,车规级mosfet、igbt、mcu等半导体领域,先进动力电池、电机系统、电控系统等电动化领域技术研发

      重庆:深度挖掘本地清洁能源开发利用潜力  做好水电、风电和分布式光伏发电规划建设

      来源:重庆市人民政府2022-07-26

      加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设,推动企业延伸发展igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属—氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品,到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

      来源:重庆市人民政府2022-07-26

      加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设,推动企业延伸发展igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属—氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品,到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

      来源:北极星碳管家网2022-07-19

      加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设,推动企业延伸发展igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属—氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品,到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

      来源:重庆市人民政府2022-07-18

      加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设,推动企业延伸发展igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属—氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品,到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

      来源:北极星环保网2022-07-18

      加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设,推动企业延伸发展igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属—氧化物半导体场效应晶体管)等器件产品,到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

      重庆:“十四五”新能源与储能领域计划合同引资3500亿元 策划引进头部企业6家

      来源:重庆市招商局2022-06-10

      晶圆制造环节,聚焦以特色工艺为主攻方向,以idm(整合原件制造)为主要路径,积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目,投建生产模拟和数模混合芯片、igbt(大功率绝缘栅双极型晶体管)、mosfet

      来源:重庆市招商局2022-06-10

      晶圆制造环节,聚焦以特色工艺为主攻方向,以idm(整合原件制造)为主要路径,积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目,投建生产模拟和数模混合芯片、igbt(大功率绝缘栅双极型晶体管)、mosfet

      来源:北极星储能网2022-06-09

      据了解,基本半导体自2016年成立之初就聚焦研发碳化硅肖特基二极管和碳化硅mosfet芯片,经过多年技术攻关和产品迭代,碳化硅肖特基二极管和mosfet单管累计出货超过2000万只,在光伏储能、通信电源

      来源:北极星储能网2022-06-08

      预计未来新能源汽车上化硅mosfet的需求量将远超碳化硅二极管,无法生产高良率碳化硅mosfet的器件厂将失去市场。

      重点支持新能源汽车整车企业实现合规化生产!广西南宁市工业和信息化发展第十四个五年规划印发

      来源:南宁市人民政府2022-05-26

      抢抓新一代半导体制发展机遇,依托桂芯、科林集成电路封装测试项目和瑞声科技声学mems封测项目,实施特色存储芯片引进项目,突出特色,坚持不求大、不求最高工艺、务求实际可行的原则,在mems、mcu、mosfet

      广西南宁市工业和信息化发展第十四个五年规划:积极发展智能电网设备等产业

      来源:南宁市人民政府2022-05-26

      抢抓新一代半导体制发展机遇,依托桂芯、科林集成电路封装测试项目和瑞声科技声学mems封测项目,实施特色存储芯片引进项目,突出特色,坚持不求大、不求最高工艺、务求实际可行的原则,在mems、mcu、mosfet

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