来源：东莞市发改委2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改局2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：深圳发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星碳管家网2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星环保网2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：五河县经济和信息化局2022-10-09

加强绝缘栅双极型晶体管（igbt）、特种非晶电机和非晶电抗器等电机核心元器件研发。开展高牌号取向硅钢片、特高压直流套管、非晶态合金、环保型绝缘油等变压器用材料创新和技术升级。

来源：广东省工信厅2022-09-08

大力发展新能源用高性能、低损耗、高可靠的绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率器件及模块，进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：河北省人民政府2022-09-02

强芯片、育专用、引封测”工程，大力发展第三代半导体材料及器件，支持陶瓷封装材料、电子级化学品、4英寸碳化硅晶片提升良品率，加快6英寸以上碳化硅、氮化镓单晶片及12英寸硅外延量产化进程；推动电源管理芯片、绝缘栅双极型晶体管

来源：国家电网报2022-08-23

日前，由国网智慧车联网技术有限公司牵头负责的科技项目“基于大功率igbt（绝缘栅双极型晶体管）的电动汽车能源站柔性控制和主动安全关键技术研究及应用”通过国家电网有限公司科技部的验收。

来源：嘉兴市人民政府2022-08-01

”产业平台作用，依托龙头骨干企业和科研院所，以斯达功率半导体芯片研发及产业化项目、金瑞泓半导体大硅片项目、方芯电子集成电路先进封测项目等标杆项目为引领，加快功率半导体芯片、光通讯芯片、射频芯片、大功率绝缘栅双极型晶体管

来源：嘉兴市人民政府2022-08-01

”产业平台作用，依托龙头骨干企业和科研院所，以斯达功率半导体芯片研发及产业化项目、金瑞泓半导体大硅片项目、方芯电子集成电路先进封测项目等标杆项目为引领，加快功率半导体芯片、光通讯芯片、射频芯片、大功率绝缘栅双极型晶体管

来源：重庆市人民政府2022-07-26

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市人民政府2022-07-26

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星碳管家网2022-07-19

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/