来源：深圳市人民政府2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星环保网2022-12-22

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星碳管家网2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市人民政府2022-12-21

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体功率器件、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：东莞市发改局2022-12-16

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改委2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：东莞市发改局2022-12-15

加快发展绝缘栅双极型晶体管（igbt）功率半导体器件、进一步推动碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。

来源：深圳发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：深圳市发改委2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星碳管家网2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：北极星环保网2022-10-31

鼓励开展高功率高性能绝缘栅双极型晶体管（igbt）、第三代半导体材料、高性能铁钕硼永磁体等关键技术和核心零部件攻关。

来源：五河县经济和信息化局2022-10-09

加强绝缘栅双极型晶体管（igbt）、特种非晶电机和非晶电抗器等电机核心元器件研发。开展高牌号取向硅钢片、特高压直流套管、非晶态合金、环保型绝缘油等变压器用材料创新和技术升级。