来源：eefocus2013-10-23

基本上在整流器和逆变器的控制开关上有几个选择，分别是绝缘栅双极晶体管(igbt, insulated gate bipolar transistor)、门极可关断晶闸管(gto, gate turn off

来源：电源网2013-05-24

5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。

来源：中国知识产权报2013-04-19

绝缘栅双极晶体管(igbt)作为当前电力电子最重要的大功率主流器件之一，主要应用在开关上。该器件是在双极型晶体管和绝缘栅型场效应晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。

来源：北极星电力网2013-03-08

半导体激光器件、高性能全固态激光器件、高性能敏感元器件、新型晶体器件、高精密电阻器件、高压绝缘栅双极晶体管(igbt)、可控硅(scr)、集成门极换流晶闸管(igct)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

和晶闸管类器件（thyristors）组成，其中常见的功率晶体管包括以vdmos（verticaldouble-diffusionmosfet）为代表的功率mos器件（powermosfets）、绝缘栅双极晶体管...igbt（insulatedgatebipolartransistors）和功率双极晶体管（powerbipolartransistors或powerbjt：powerbipolarjunctiontransistors

来源：北极星电力网2013-01-15

ni 9683的硬件i/o 包括以下类型：高速可同时采集的模拟输入通道可以采集一次侧和二次侧的电压/电流低速的模拟输入和输出通道可以进行系统级的控制和监测高速数字输出通道可以完成绝缘栅双极晶体管和金属氧化物

来源：北极星电力网2012-10-10

件;新型锰酸锂、磷酸铁锂、三元材料等锂离子电池;微型化、集成 化、智能化、网络化的敏感元件及传感器;半导体激光器件、高性能 全固态激光器件、高性能敏感元器件、新型晶体器件、高精密电阻器 件、高压绝缘栅双极晶体管

来源：互联网2012-07-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz

来源：中国网2012-07-05

在电控方面，重点发展电动汽车整车控制系统，加快开发混合动力多能源管理系统，积极发展大功率车用绝缘栅双极晶体管(igbt)等车用功率型电子元器件。

来源：电子工程世界2011-09-08

就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管(igbt)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与igbt配合。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-17

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-10

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：海威数据2011-05-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz

来源：ABB评论2011-05-09

高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管，igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分，从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。

来源：ABB评论2011-05-06

这两种外壳都适用于绝缘栅双极晶体管 (igbt) 和集成门极换流晶闸管 (igct)。但在实际应用中，集成门极换流晶闸管目前仅用于压接外壳，而绝缘栅双极晶体管则可用于这两种外壳。...高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管，igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分，从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。

来源：互联网2011-05-04

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gatebipolartransistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：互联网2011-03-04

用igbt(绝缘栅双极晶体管)代替 growian 的第一代可控硅，就可使用脉宽调制(pwm)来克服不良的谐波性能。该技术也使实际功率和无功功率的控制更为方便。

来源：赛迪网2011-02-14

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gate bipolar transistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：机电商报网2010-09-01

据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（igbt）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。

来源：技术在线2010-08-26

与sbd成对使用的晶体管仍是igbt(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)。三菱电机表示，“此次sic制sbd的作用是‘突击队长’。