来源:www.21dianyuan.com2011-05-31
在德国纽伦堡举办的pcim europe 2011展会上,英飞凌展出了全新推出的650v coolmos cfd2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650v并且集成了快速体二极管的高压晶体管。
来源:海威数据2011-05-27
功率半导体器件的进步:高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步:powermosfet的极快的开关速度,使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz