来源：高新区经济发展局2023-02-28

结合市场前景、国产替代机会，依托华微电子，重点布局第三代半导体材料研发、功率芯片设计、晶圆制造、封装测试等功率半导体全产业链，加大第三代半导体研发，巩固提升二极管、晶闸管等产品优势，突破igbt、中高压mosfet

来源：北极星电池网2023-02-28

）智能制造中心（b405-0266）40 普联技术有限公司全球研发中心41 普联技术有限公司下一代互联网设备总部项目42 全球智能芯片创新中心43 神舟电脑新舟工业园44 新能源汽车用碳化硅（sic）mosfet

来源：能源新媒2023-02-23

可重构电池网络的实现方式可重构电池网络实现了从模拟系统到数字系统的转变，模拟能量流将被由网络化连接的低压低功耗金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）电力电子开关离散化为时间序列上的“能量片”（energy

来源：深圳市发改委2023-01-28

本措施重点支持面向锂离子电池、钠离子电池、镁离子电池、液流电池等先进电化学储能技术路线的原材料、元器件（igbt、mosfet、dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组、电池管理系统（bms）、能量管理系统（

来源：深圳市发改委2023-01-20

政企协作积极引进硅基igbt、sic mosfet等电子元器件制造商以及大型能源央企，持续提升储能产业链的安全性和稳定性。...其中提到，本措施重点支持面向锂离子电池、钠离子电池、镁离子电池、液流电池等先进电化学储能技术路线的原材料、元器件（igbt、mosfet、dsp等芯片）、工艺装备、电芯模组、电池管理系统（bms）、能量管理系统

来源：北极星储能网2022-12-27

晶能紧抓汽车电动化高增长趋势，以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、

来源：北极星太阳能光伏网2022-12-26

浙江晶能以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能等“双碳”产业场景

来源：吉利科技集团2022-12-15

晶能紧抓汽车电动化高增长趋势，以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、

来源：绍兴市人民政府2022-11-09

重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术，建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心，研究和推动薄膜型探针卡技术产业化，重点实现a-ewlb量产及2.5d/3d封装等先进技术开发和量产，推进igbt、mosfet

来源：绍兴市人民政府2022-11-09

重点聚焦晶圆凸块、晶圆级封装等先进技术，建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心，研究和推动薄膜型探针卡技术产业化，重点实现a-ewlb量产及2.5d/3d封装等先进技术开发和量产，推进igbt、mosfet

来源：广州金升阳科技有限公司2022-11-03

三、产品应用作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt

来源：深圳发改委2022-10-18

支持车规级激光雷达、毫米波雷达、机器视觉、高精度地图、高精度定位、智能座舱等智能化领域，车用无线通信、云服务终端等网联化领域，车规级mosfet、igbt、mcu等半导体领域，先进动力电池、电机系统、电控系统等电动化领域技术研发

来源：重庆市人民政府2022-07-26

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市人民政府2022-07-26

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星碳管家网2022-07-19

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市人民政府2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：北极星环保网2022-07-18

加快电源管理芯片、化合物半导体重点项目规划建设，推动企业延伸发展igbt（绝缘栅双极型晶体管）、mosfet（金属—氧化物半导体场效应晶体管）等器件产品，到2025年力争全市功率半导体产能达到15万片/

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：重庆市招商局2022-06-10

晶圆制造环节，聚焦以特色工艺为主攻方向，以idm（整合原件制造）为主要路径，积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大晶圆制造项目，投建生产模拟和数模混合芯片、igbt（大功率绝缘栅双极型晶体管）、mosfet

来源：北极星储能网2022-06-09

据了解，基本半导体自2016年成立之初就聚焦研发碳化硅肖特基二极管和碳化硅mosfet芯片，经过多年技术攻关和产品迭代，碳化硅肖特基二极管和mosfet单管累计出货超过2000万只，在光伏储能、通信电源