来源:中国电力电子产业网2014-06-12
此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(esd)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(mlv)的理想选择,因为其可在30kv的条件下安全吸收反复性esd震击而不会对性能造成不利影响
来源:北极星电力网2014-06-10
此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(esd)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(mlv)的理想选择,因为其可在30kv的条件下安全吸收反复性esd震击而不会对性能造成不利影响