来源：互联网2010-02-01

在线监测、状态检修、带电作业逐步开展，ljc-b 型线路污秽绝缘子泄漏电流无线遥测系统、电缆金属护套在线监测仪等技术首次引进并产生显著效益。

来源：互联网2009-11-27

通过在线路输电杆塔上安装气象、视频、拉力、温度传感器，采集各种数据并反馈到监测中心，可以对输电线路的导线覆冰厚度、杆塔不均衡张力、风偏距离、气象条件、绝缘子泄漏电流、导线温度、现场图像等实现实时监控。

来源：天津市电力公司2009-10-21

它可在线监测输电线路绝缘子运行状况，并同时监测输电线路绝缘子的三相泄漏电流，将测量值通过gprs网络传送到后台，通过监测泄漏电流平均值、电流最大幅值、三次谐波与基波比值、单位时间不同强度的局部放电脉冲电流数以及温度

来源：互联网2009-09-27

在以下三种情况可以用到分割地的方法这种方法︰一些医疗设备要求在与病人连接的电路和系统之间的漏电流很低；一些工业过程控制设备的输出可能连接到噪声很大而且功率高的机电设备上；另外一种情况就是在pcb布局受到特定限制时

来源：互联网2009-09-27

碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。 　　

来源：国家电网报2009-06-16

个雷电站组成的探测网，实现福建雷电无盲区、精度定位雷电；自建44个水文监测站，实时监测福建公司直调水电厂的水文信息；自建9个覆冰监测点、107个线路监测点、1612台主要设备监测点，信息涵盖气象、线温、风偏、震动、泄漏电流

来源：机电商报网2009-05-07

为使所测得的泄漏电流反映电缆绝缘的真实状况，应采取措施消除外来因素对泄漏电流的影响。如果测得的泄漏电流数值不稳定，泄漏电流随时间延长而上升，或随试验电压增加而急剧上升，必须查明原因。 　　

来源：机电商报网2009-04-24

有些设备(各种外绝缘表面、绝缘子)则会因绝缘故障或表面污秽而改变元件电压分布规律或增大泄漏电流，同样会导致设备在运行中出现温度分布异常。...3.3　金属氧化物避雷器的监测与诊断 　　避雷器结构不良，密封不严，内部构件受潮，会导致运行中泄漏电流和阻性电流分量急剧增加，阀片温度上升，引起热崩溃，甚至发生爆炸事故。

来源：南方电网  2008-12-15

而且勿需出门，只要轻点鼠标，通过输电线路灾害(覆冰)预警系统就可监测到覆冰、风速、降雨量、温度、绝缘子泄漏电流等数据，适时接收到线路实景图像。

来源：中国电力新闻网2008-06-18

据悉，该公司投入了70余万元，对避雷器绝缘电阻偏低，泄漏电流偏大的避雷器全部进行了更换；对100kva以上的变压器接地电阻大于4欧，100kva以下变压器大于10欧的接地装置全部进行加桩处理，使接地电阻达标

来源：浙江省电力公司2008-03-11

课题“输电线路覆冰绝缘子运行状态监测及预警技术研究”，将针对预警系统进行研究，并对覆冰绝缘子泄露电流与其运行特性覆冰状态的关系进行分析，同时实现运行状态下绝缘子的泄漏电流和脉冲频次及温度、湿度、风速、风向

2006-09-28

结漏电流 描述器件关断时的漏电流也非常重要，因为在器件不工作时，漏电流将浪费功率，会缩短电池供电设备的工作时间。...基极反向偏置漏电流，也称为发射极关断电流或发射极-基极关断电流(iebo)，是另一个最重要的漏电流，它是器件关断时基极的漏电流。

2006-08-16

随着器件尺寸不断地按比例缩小(scaling down)，一些次级效应(secondary effects)将会越来越难以克服，晶体管的漏电流不断增大，进而增大晶体管的静态功耗。...当这一增大的静态功耗在总功耗中达到一定比例(例如10%)和因漏电流使晶体管的跨导不再大于其输出电导的时候，cmos开关就不能经常工作，以晶体管缩小达到ulsi发展的策略就会失效，微电子沿摩尔定律的发展就将无法继续

2006-02-09

此外，90纳米工艺的芯片漏电流更大，使得90纳米工艺的芯片温度更高——即使芯片还没有全速运行。因此，intel不得不把精力从如何设计更快的芯片上挪开，转而关注如何设计低功耗和高能效的芯片。

2005-01-13

测试过程加两次脉冲电压，第一次测真空灭弧室表面漏电流，第二次测真空灭弧室漏电流和动静触头离子电流，用第二次电流减第一次的剩余离子电流来自动查找标定曲线，计算出真空度值，测量三相后，自动打印结果，大屏幕液晶显示

2004-12-28

论文称，它具有0.5na～50na的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件，门级漏电流小于30 pa/μm，gdil低于10 pa/μm。”

2007-01-17

其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。