2006-09-28

结漏电流 描述器件关断时的漏电流也非常重要，因为在器件不工作时，漏电流将浪费功率，会缩短电池供电设备的工作时间。...基极反向偏置漏电流，也称为发射极关断电流或发射极-基极关断电流(iebo)，是另一个最重要的漏电流，它是器件关断时基极的漏电流。

2006-08-16

随着器件尺寸不断地按比例缩小(scaling down)，一些次级效应(secondary effects)将会越来越难以克服，晶体管的漏电流不断增大，进而增大晶体管的静态功耗。...当这一增大的静态功耗在总功耗中达到一定比例(例如10%)和因漏电流使晶体管的跨导不再大于其输出电导的时候，cmos开关就不能经常工作，以晶体管缩小达到ulsi发展的策略就会失效，微电子沿摩尔定律的发展就将无法继续

2006-02-09

此外，90纳米工艺的芯片漏电流更大，使得90纳米工艺的芯片温度更高——即使芯片还没有全速运行。因此，intel不得不把精力从如何设计更快的芯片上挪开，转而关注如何设计低功耗和高能效的芯片。

2005-01-13

测试过程加两次脉冲电压，第一次测真空灭弧室表面漏电流，第二次测真空灭弧室漏电流和动静触头离子电流，用第二次电流减第一次的剩余离子电流来自动查找标定曲线，计算出真空度值，测量三相后，自动打印结果，大屏幕液晶显示

2004-12-28

论文称，它具有0.5na～50na的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件，门级漏电流小于30 pa/μm，gdil低于10 pa/μm。”

2007-01-17

其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。