来源：贺利氏可再生能源2020-07-10

相对p型晶硅电池，n型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。

来源：摩尔光伏2020-06-09

影响因素材料－光伏有源材料：电阻率ρ，少子寿命τ，其它杂质等。表面发射极掺杂层；背面电场；漏电流－反向饱和电流i0；理想因子n；并联电阻rsh；钝化技术－电池材料的表面和内部的钝化。

来源：天风机械团队2020-06-02

2） n-pert：n-pert双面电池采用n型硅作衬底，具有少子寿命高、无光致衰减等优点。据公司公告披露，公司面向n型电池的硼扩散炉-ds320a扩散炉已经完成研发工作，正式进入批量订单销售阶段。

来源：摩尔光伏2020-05-25

虽然ibc电池存在很多优点，但同时它也面临很多挑战：1）对基体材料要求较高，需要较高的少子寿命。

来源：摩尔光伏2020-05-21

影响因素材料－光伏有源材料：电阻率ρ，少子寿命τ，其它杂质等。表面发射极掺杂层；背面电场；漏电流－反向饱和电流i0；理想因子n；并联电阻rsh；钝化技术－电池材料的表面和内部的钝化。

来源：摩尔光伏2020-05-19

sinx薄膜具有高反射率的特点，可以有效反射透射光；且sinx薄膜中富含h 离子，能够有效钝化背面多晶硅中的悬挂键，这样可有效减少背面的载流子复合，从而提高少子寿命，对voc和jsc的提升明显。

来源：摩尔光伏2020-05-18

死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了voc和isc。磷硅玻璃的存在使得pecvd后产生色差,在pecvd工序将使镀的sixny容易发生脱落，降低电池的转换效率。

来源：贺利氏可再生能源2020-05-14

◇ 较长的少子寿命受益于本征非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。...与之相比，n型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到ｎ-topcon、hjt等n型电池方向。

来源：摩尔光伏2020-05-12

2.2.3uoc、isc偏低a)voc、isc偏低，rs、ff正常，考虑来料异常；b)查看生产流程单确认扩散方块电阻和少子寿命无异常；c)浆料污染会导致isc偏低，voc变化不大，同时ff会降低，rsh

来源：光伏测试网2020-05-09

已成为主流标配技术：perc+se 技术以扩散后的 psg 层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选 择性重掺 n++层，可降低硅片与电极之间的接触电阻，降低表面复合，提高少子寿命

来源：华创证券2020-05-08

pert 电池（钝化发射极背面全扩散电池）使用少子寿命高的 n 型硅片作为衬底，电池几乎无光致衰减，正面使用 硼扩散形成发射极，背面采用磷全扩散，是钝化接触工艺流程中的入门级结构。...已成为主流标配技术：perc+se 技术以扩散后的 psg 层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选 择性重掺 n++层，可降低硅片与电极之间的接触电阻，降低表面复合，提高少子寿命

来源：申建国电新团队2020-04-16

德国konstanz大学做了实验对比，分别测试了掺硼并进行磷（p）吸杂的电池、掺镓（ga）并进行磷吸杂的电池在不同温度下的少子寿命（少子寿命降低说明存在光衰现象），发现掺硼和掺镓的perc电池都存在letid

来源：光伏新闻2020-04-07

图2、包头阿特斯g8铸造单晶少子寿命图

来源：华金证券2020-04-07

目前产业化主要是通过增大光生电流如 ibc、hbc 电池（增加光照面积，提高 jsc） ，以及提高少子寿命如异质结、topcon（优化钝 化性能，提高 voc）实现。

来源：摩尔光伏2020-03-24

全新g12硅片具备高少子寿命，低含氧量，低含碳量，电阻率一致等优势与特点。需要指出的是，更大尺寸的热场，更高的品质，更高纯度的材料，需要标准化的管控来实现，这就需要改变传统制造方式。

来源：摩尔光伏2020-03-19

fig.3-1黑芯片fig.3-2a为“四角黑”电池片的el图片，腐蚀掉正背面电极、氮化硅、pn结后测试其少子寿命，如fig.3-2c所示，从图中可看出，电池片黑角区域的寿命相对正常区域严重偏低，说明此处存在大量的缺陷

来源：透视先进制造2020-03-16

该设备支持每小时2400片硅片的生产量，在区熔单晶硅片(fz)型上已经实现了超过10ms的有效少子寿命，在直拉硅片(cz)上实现了超过2ms的有效少子寿命。

来源：太阳能杂志2020-02-20

采用ald技术制备氧化铝膜，随着膜厚增加，样品的少子寿命退化，由此推测印刷氧化铝膜厚差异会影响少子寿命的稳定性。...背抛光后硅片印刷氧化铝并烧结，使用wt-2000 设备测试少子寿命值在10 μs 左右；完成氧化铝及正、背面氮化硅镀膜后进行烧结，测试少子寿命，达到33 μs 以上，如图6 所示；这与采用ald 方式制备的黑硅

来源：摩尔光伏2020-02-17

其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1．12ev，自然界中的原材料丰富，特别是n型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料［1-2

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2020-02-14

p型硅片制作工艺简单，成本较低，是目前单晶电池主流产品；n型硅片通常少子寿命较长，电池效率可以更高，但是工艺更加复杂。