来源：南京鹏图电源有限公司2014-01-16

较典型的是高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfets)，其在同步整流器中取代了传统设计中使用的二极管，使压降由0.4v降到0.2v;功率mosfet制造商正在开发导通电阻越来越小的器件，其导通电阻已由

来源：电子发烧友网2013-11-28

超级结mosfet技术能够有效隔离导电区域与电压阻断区域，在导通状态下，重掺杂外延区域可确保导通电阻 足够低;在关断状态下，夹断导电区域，充当电压持续层，可谓是突破硅限制的超级mosfet。

来源：电子产品世界2013-11-19

通过减薄sic二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kv以下的低中耐压产品中最为突出。...该公司在icscrm2013发表了相关成果，虽未公布具体的导通电阻值，但与使用约300m厚的基片制造的相同耐压的sbd相比，导通电阻减小了0.4mcm2。

来源：OFweek半导体照明网2013-11-12

沟道型的导通电阻能够缩小到平面型的几分之一。因此能够进一步降低损耗。降低导通电阻还有助於压缩sic mosfet的成本。因为达到相同的载流量，沟道型的晶片面积要小於平面型。

来源：北极星电力网2013-11-05

今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要低50%，电荷注入最多低80%。...器件导通电阻低至1.5，具有11pf的cs(off)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033w的功耗。

来源：电子设计工程2013-08-23

通过boost升压变换器实现dc-dc变换，选用小导通电阻、高开关速度的irf640管为开关管，快速恢复二极管rhrp15120整流，减少反向导通时间，降低损耗。

来源：中国电力电子产业网2013-08-19

高压mosfet泄极的磊晶层(epitaxial)主宰导通电阻的关键部分，无法大幅降低导通阻抗，而igbt内的bjt是双极元件，可大幅降低导通电阻，也就是说其具有低的集射极导通电压(vce(on))。

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

该sicsit器件耐压为1200v，导通电阻为12m.cm2。...sicjfet功率开关已成为sic单极器件的热点研究领域，美国rutgers大学报道的常关型ti-vjfet器件的阻断电压已达到11kv，比导通电阻130m.cm2，品质因子930mw/cm2。

来源：电子产品世界2012-10-25

pmos 晶体管的低压降;更高可靠性：高脉冲电流额定值可在短路状态下实现高可靠性，延长产品使用寿命;广泛的电源开关系列：tps27081a 可对 ti tps22965 与 tps22929d 等低导通电阻集成型负载开关形成有力互补

来源：国家电力监管委员会2012-09-17

高压厂用备用变压器的中性点过电压保护应符合规程要求现场检查，查阅有关图纸资料《交流电气装置的过电压保护和绝缘配合》(dl/t 620-1997)第4条、第7.3.5条5.1.3.2.5应按规程要求定期测试接地网、设备引下线等的导通电阻

来源：南京金通灵2012-06-18

该模块内置mos管以及驱动ic均由我司独立设计开发，内置mos导通电阻极小，小于4毫欧。正由于有这样的特性，mos管在工作的时候，功耗极低，特别是在大电流情况下，尤为突出。

来源：电子发烧友2011-12-22

较典型的是高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfets)，其在同步整流器中取代了传统设计中使用的二极管，使压降由0.4v降到0.2v; 功率mosfet制造商正在开发导通电阻越来越小的器件，其导通电阻已由

来源：新电子2011-09-26

高压mosfet泄极的磊晶层(epitaxial)主宰导通电阻的关键部分，无法大幅降低导通阻抗，而igbt内的bjt是双极元件，可大幅降低导通电阻，也就是说其具有低的集射极导通电压(vce(on))。

来源：环球光伏网2011-08-16

超级结晶体管（如coolmos）的引进，为进一步降低mosfet的单位面积导通电阻rds（on）带来了希望，如图3所示。

来源：21IC2011-08-16

导通损耗是由于器件具有一定的导通电阻rds，因此当有电流流过时将会产生一定的功耗，损耗功率pc由下式计算：pc=i2rds。

来源：EEWORLD2011-06-30

器件采用minqfn16封装，在3v下的典型导通电阻为2.8ω，-3db的带宽高达186mhz。...这些器件具有低工作电压和低导通电阻，采用小尺寸miniqfn封装，可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、sim卡和多功能信号切换。

来源：互联网2011-06-02

由于vt1工作于开关状态，在其导通时，导通电阻rds(on)＜1.5欧，饱和电压降很小，故损耗亦很小。因为c2容量很大，足可保证输出稳定的直流电压。

来源：www.21dianyuan.com2011-05-26

6a同步降压稳压器isl8016，效率可高达97%功能和规格isl8016集成了两个低导通电阻mosfet，允许用户在500khz至4mhz的范围内调整工作频率。

来源：和讯科技2011-04-07

下面以导通电阻测试为例来说明电缆测试系统的工作流程：当被测产品通过转接电缆接入电缆测试系统后，操作者通过参数设定来选择被测产品的型号。...2.1 导通测试部分由于导通电阻很小，一般为欧姆级，容易受到外界干扰的影响，惠斯登电桥的两臂同时对电源的微小变化做出反应，将输出信号送入差分放大器，从而消除了共模干扰，可以提高测试的准确性。

来源：德州仪器2011-03-17

csh 为 adc 内部的采样电容，而 rsw 为采样开关的导通电阻(通常低到可以忽略不计)。转换器的采集时间 tacq 期间，采样开关关闭。