来源:新材料产业2018-11-13
碳包覆硅的方法主要有水热法、cvd以及在硅颗粒上涂覆各种碳前驱体等。黄等通过在硅板用金属催化刻蚀制备出硅纳米线整列,然后通过碳气凝胶和热解,将碳包覆在硅纳米线表面。
来源:pvmagazine2018-11-12
结合产线提效方案,具体讨论了用于提高电池可靠性和转化效率的pecvd镀膜工艺、背抛光工艺和perc高效结构的光衰和光恢复现象。...硅酸钠和制绒添加剂构成的碱性溶液中进行制绒,绒面金字塔大小在5μm以内;(2)扩散炉中高温磷扩散形成n型发射结,方阻在80ω/□左右;(3)等离子体刻蚀去边结后,在氢氟酸溶液中进行二次清洗去除磷硅玻璃;(4)pecvd
来源:水电水利规划设计总院2018-11-12
常规生产线平均转换效率分别达到20.2%和18.6%,采用perc和黑硅技术的先进生产线则分别达到21.3%和19.2%,异质结(hjt)、ibc、n型双面等技术路线加快发展;除个别高效电池生产用pecvd
来源:水电水利规划设计总院2018-11-09
来源:Solarwit2018-11-09
夹具等设备,对于老的电池设备产能而言技改费用约为40万/100兆瓦;尺寸进一步增大到161.7mm时电池产线需要更换的设备就更多,技改费用增加到60万/百兆瓦;而当硅片尺寸大于161.7mm时就超过了现有pecvd
来源:北极星输配电网2018-11-05
自主创新与合资合作相结合,加快开发化学气相沉积(cvd)技术与设备、高密度等离子刻蚀机、物理气相沉积(pvd)分子束外延装备、分布重复投影光刻机、集成电路封装设备、光学测量设备等集成电路制造、封装、测试装备
来源:北极星储能网2018-10-31
来源:中国能源报2018-10-31
在hit电池技术领域,新赛维也掌握了实现量产的四项核心技术:智能制造系统和工艺开发、pecvd/pvd设备开发、薄片技术和铜丝金属化wem技术。
来源:北极星电力网2018-10-30
来源:孚智科技2018-10-19
在hit电池技术领域,新赛维已经掌握了实现hit电池量产的四项核心技术:智能制造系统和工艺开发、pecvd/pvd设备开发、薄片技术和铜丝金属化wem技术。
来源:北极星环保网2018-09-25
7.1.6高效照明产品及系统发光二极管(led)用大尺寸开盒即用蓝宝石、碳化硅等衬底、高纯金属有机化合物(mo源)、高纯氨气、新型高效荧光粉等开发,生产型金属有机源化学气相沉积设备(mocvd)、氢化物气相外延
来源:一起光伏APP2018-09-04
首先讲一下,我大概十年前才进入光伏,十年前干平板显示,做了十几年pecvd,03年国内起来,从上广电、京东方开始做起,做到08年的时候,觉得要做一个转折。
第二个应用是hwcvd,有点是可以高效地分解氢气,产生很高密度的h原子,高密度h原子存在原则上有利于钝化。tco的改进,其实是一个非常重要的话题。日本三洋采取了rpd的技术。
来源:史晨星2018-08-28
cvd化学气相沉积法是薄膜制备主流工艺基本原理:气相沉积法是以甲烷、乙醇作为气态碳源通入金属衬底表面,一段时间反应后碳源在金属衬底上分解、淀积出不同层数的石墨烯,最后用化学刻蚀的方法分离石墨烯与衬底,得到石墨烯产品
来源:中国能源报2018-08-22
目前,中国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工、光伏电池片、组件的生产,相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设,到与光伏产业链相关的检测设备、模拟器等,已经具备成套供应能力,部分产品如扩散炉、管式pecvd
来源:全景网2018-08-21
捷佳伟创成立至今,均主营生产pecvd(等离子体增强化学的气相沉积法)等晶体硅电池设备。...2017年捷佳伟创研发推出高产能、生产成本低的pd-450型pecvd设备pecvd设备是最贵的光伏设备之一,李时俊介绍说,刚推出时一台设备(即半条基本生产线)的价格约1200万至1400万人民币,一条基本生产线一年的产能是
来源:PV兔子2018-08-20
晶格匹配如果是iii-v族电池体系,不管是mocvd还是mbe,上层的电池都需要和下层的电池晶格匹配,否则就会长歪。
来源:OFweek太阳能光伏网2018-08-14
公司系国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备制造商,主营pecvd设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售。
来源:摩尔光伏2018-07-30
在pecvd生长的al2o3薄膜中,这两种形态的al2o3同时存在。...正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所pecvd设备制备,高频信号发生器频率为40khz。采用西安隆基m2单晶硅片。使用sinton公司的wct120设备检测硅片的少子寿命。
来源:北极星太阳能光伏网2018-07-08
在欧洲还有一种薄膜发展,是在硅,把硅做成透光硅片,然后在表面做成多孔,利用cvd方法,在多孔上面,在外延一层薄膜单晶硅,利用这个单晶硅把它切割下来,薄片下来,可以到50个um,也可以把效率做到20.5%