来源:PV News2012-09-29
上述种种,造成我国在光伏产业发展过程中的结构偏移、出现了应用这条非常明显的短腿,招致了硅电池及光伏组件产能的相对过剩,极大地阻碍着整个光伏产业的持续稳定发展。
来源:新华网2012-09-26
公司毛利远高于行业平均水平,主要有两方面原因:一是凭借超强的研发能力,自行研制了重要生产设备,如单晶炉、多线切割机、pecvd等,大幅降低折旧费用;二是公司产业链完整,在晶体硅电池方面成功实现了拉晶-切片
来源:SEMI2012-09-19
水电部分的成本在晶体硅、电池和组件制造中占有很大的比例。良率的损失也会影响晶体硅、电池和组件制造的成本。劳动力的成本取决于生产线的自动化程度。
来源:世纪新能源网2012-09-12
许洪华认为,未来太阳能光伏发电的目标是实现太阳能的规模化利用,使其发电成本与常规能源可竞争;两项突破是指突破规模化生产和规模化应用技术;在全产业链布局开展晶体硅电池、薄膜电池及新型太阳能电池研发;并在材料
来源:中国能源报2012-09-12
单晶硅晶圆构成了电池的基质,再利用机器在其表面添加一层薄膜氧化层,这可以让电池在高温下获得比传统硅电池更出色的转换效率。另外还有一层非晶硅用来提升电压,从而提高输出功率。
来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-09-07
早期采用tio2膜或mgf2/zns混合膜以增加对入射光的吸收,但该方法均需先单独采用热氧化方法生长一层10~20umsio2使硅片表面非晶化、且对多晶效果不理想。sixny膜层不仅减缓浆料中玻璃体对硅的腐蚀抑制
来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-09-06
产业化的周边pn结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影响电池的转换效率,而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术根据pn结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽
来源:《太阳能发电》2012-09-05
产能超前记者:现在有一种怀疑论或者阴谋论,认为西方将硅电池这样一种并不成熟的技术、工艺以及设备卖给中国,等中国把这个产业搞得很大之后,再设置贸易壁垒对中国关闭市场大门,让中国深陷其中不得自拔。
来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-09-05
pn结特性决定了太阳能电池的性能。传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂,且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面杂质浓度过高导致扩散区能带收缩、晶格畸变、缺陷增加、死层明显、电池短波响应差
来源:麻省理工2012-09-04
有了这项技术,我们可以让硅电池更稳定,密茨凯维奇总结道。
来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-09-04
减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法。化学腐蚀工艺是最成熟的产业化生产技术,也是行业内最广泛使用的技术,工艺门槛低、产量大;但绒面质量不易控制、不良率高,且减反射效果有限(腐蚀后的反射率一般仍在11%
来源:北极星太阳能光伏网2012-09-03
熊猫n-mwt n型mwt单晶硅高效电池项目是英利集团与欧洲著名太阳能光伏电池研究机构荷兰国家能源研究中心(ecn)及全球领先的光伏设备和自动化系统供应商阿姆泰克(amtech)公司进行的联合研发项目。
se高效电池(选择极发射selectiveemitter)是一种在现有加工制造工艺设备和p型硅片原料的基础上的单晶硅电池。其转化效率平均达到17.5%,性能更稳定,受主要原材料硅片的材质变化影响小。中电光伏研发成功并主推的电池技术为
来源:北极星太阳能光伏网2012-08-31
更多详情正泰暂停薄膜硅电池生产线 数亿设备或将闲置8月30日,正泰光伏发电相关部门多名员工向记者证实,薄膜硅电池部门的人员优化始于今年四月。...工程师们选择离开的主因是晶硅部门需求有限,而且薄膜硅电池、晶硅技术差别很大,转部门后级别也有可能下降;而一线车间员工本身技术要求不高,在新部门依然能派上用场。
来源:北极星太阳能光伏网2012-08-30
pluto电池是采用perl结构的、基于p型硅的高效晶硅电池。属于unsw的perl的衍生技术。单晶硅电池18.8%及多晶硅电池17.2%的转化效率,与目前传统量产化电池拉开一定差距。据称未来2年之内,
来源:英大网2012-08-29
从生产设备来看,晶体硅电池用的大部分高档设备仍需进口,国产薄膜太阳能电池设备和技术水平与国外差距很大,多数企业的薄膜生产装备从国外进口,产业化步伐缓慢。
来源:中国电子报2012-08-22
从产业规模上看,目前一个世界级的多晶硅企业,其规模在5万吨上下,可以供应近10吉瓦晶体硅电池的原料,为四五家世界级的电池组件企业供料。
来源:北极星太阳能光伏网2012-08-22
虽说还比不上硅电池,但跟其它产品相比效率已经高出 10% 啦。czts 产品可以通过印刷技术制成,其产电能达到每年 500 千兆瓦(比产电能最接近的产品多出 5 倍)。
n型硅衬底的优点:n型硅(n-si)相对于p型硅来说,由于对金属杂质和许多非金属缺陷不敏感,或者说具有很好的忍耐性能,故其少数载流子具有较长而且稳定的扩散长度。目前只有sunpower和sanyo两家企业