2006-12-27

中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

2006-12-20

发展重点 　　传感器技术 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器

来源：《中国电子报》2007-03-14

对用量较大的光刻胶、清洗、刻蚀试剂化学抛光液等，力争在“十一五”期间实现产业化。 　　“十一五”期间，建立完善的集成电路产业链是产业持续健康发展的核心任务。...在6-8英寸用光刻机、刻蚀机、离子注入机、立式扩散炉、快速热处理设备，氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备、划片机、键合机、集成电路自动封装系统等设备实用化的基础上，提供批量供应。

来源：《中国电子报》2007-03-07

其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。...同45所100nm大角度离子注入机一起被业界称为具有战略意义的半导体高端设备的还有北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司研制的100纳米等离子刻蚀机。