来源：资源网2009-06-10

在新的4条se生产线现场参观中，笔者对偌大的生产车间里有条不紊的运作印象深刻，制绒、扩散、刻蚀、淀积、丝网印刷以及测试等环节井井有条。

来源：中国电子报2009-03-19

据了解，目前，我国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设，已经初步具备成套供应能力，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉、多晶铸锭炉等开始少量出口...，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线上占据主导地位，2种(管式化学气相淀积设备pecvd、快速烧结炉)与进口设备并存且份额正逐步增大

来源：中国新能源网2008-10-29

激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中，表面造成损伤同时引入一些杂质，要通过化学处理去除表面损伤层。

2006-11-23

联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度，从而将静态ram芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。 　　

2006-11-02

同时采用选择性湿法刻蚀工艺，特别是insb-au欧姆接触膜层的选择性刻蚀工艺制作电极。工艺成品率达到60％以上。用该insb薄膜开发了3个品种13个规格的insb霍尔元件，并进行批量生产。

2006-10-10

9月28日，芯片制造六大装备中的刻蚀机和离子注入机的采购合同在北京签订，这标志着国产100纳米制造装备初步实现了产业化。

2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　...　　中国863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着中国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

2006-09-14

中国科学院微电子研究所常务副所长叶甜春表示，通过进行科技部“十五”863重大专项“100nm集成电路制造装备”，我国研制出100nm 8英寸高密度等离子体刻蚀机和大倾角注入机试生产样机，实现了我国高端集成电路核心设备零的突破

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。

2006-08-21

传感器 　(1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-03

3.发展重点 3.1 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺

2006-02-09

这样一来，金属薄膜就会在牺牲层刻蚀阶段被一同刻蚀处理掉，因此预先对最终所需要的金属薄膜进行了钝化处理，以确保不被刻蚀处理。试制品使用了台积电的2层聚合物4层金属的0.35μm工艺。

2005-07-21

发展重点 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器

2005-02-04

要刻蚀出宽度仅有人类头发厚度千分之一的电路并非易事，任何一个差错都将给ibm到来万劫不复的灾难。

2004-12-31

三、重点发展的前沿及关键技术 　　1、传感器技术 　　发展重点是： 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器 　　①微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺； 　　②封装工艺：如常温键合倒装焊接

2004-10-15

这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2003-03-22

但每家又都有自己的专长，如东京电子在二氧化硅刻蚀方面做得最好，而应用材料就做金属刻蚀，市场细分的非常厉害。...但也有专家指出，集成电路设备行业是个垄断性行业，例如刻蚀机全球只有两三家公司在做，如应用材料、东京电子等。

2006-12-27

中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

2006-12-20

发展重点 　　传感器技术 　　（1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器