来源：北极星电力网新闻中心2010-10-15

中国光伏设备企业已基本具备太阳能电池制造整线装备能力，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机等开始少量出口，扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线占据主导地位，管式pecvd

来源：中国传动网2010-10-14

发展重点 传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

来源：中国投资咨询网2010-10-12

8.2.2cis薄膜太阳能电池发展前景展望 8.2.3薄膜太阳能电池光伏一体化应用商机巨大 图表目录： 图表1多孔硅反射镜 图表215层多孔布拉格反射镜与多孔单层之间的反射性能比较 图表3用电化学法将多层多孔硅叠层刻蚀到标准的

来源：环球光伏网2010-07-22

该所研发的高温扩散炉和等离子刻蚀机两种产品，多年在国内市场占有率高达80%。紧跟国际最新技术，该所还率先在国内研制成功首台八英寸程控扩散炉、icp等离子刻蚀机等光伏关键装备。 　　

来源：互联网2010-05-18

虽然单晶炉、多晶硅铸锭炉以及一些清洗设备国内企业已经能做了，但多线切割机、刻蚀机等关键设备仍以国外公司的产品为主。

来源：互联网2010-04-09

日前，东营光伏太阳能公司总投资2.1亿元、年产60mw光伏电池片项目开工建设，该项目主要以多晶硅晶片为原料，通过清洗、制备绒面、等离子刻蚀、去psg等低耗能、无污染的工艺，生产光伏电池片，目前公司是省内专业做太阳能发电的最大规模企业

来源：互联网2010-01-22

其中，扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备已达到或接近国际先进水平，性价比优势十分明显。但是，多晶电池绒面制作的制绒机与进口设备还有一定差距，用于周边刻蚀的激光刻阻机及湿法化学刻蚀设备尚未成功开发。

来源：资源网2009-06-10

在新的4条se生产线现场参观中，笔者对偌大的生产车间里有条不紊的运作印象深刻，制绒、扩散、刻蚀、淀积、丝网印刷以及测试等环节井井有条。

来源：中国电子报2009-03-19

据了解，目前，我国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设，已经初步具备成套供应能力，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉、多晶铸锭炉等开始少量出口...，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线上占据主导地位，2种(管式化学气相淀积设备pecvd、快速烧结炉)与进口设备并存且份额正逐步增大

来源：中国新能源网2008-10-29

激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中，表面造成损伤同时引入一些杂质，要通过化学处理去除表面损伤层。

2006-11-23

联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度，从而将静态ram芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。 　　

2006-11-02

同时采用选择性湿法刻蚀工艺，特别是insb-au欧姆接触膜层的选择性刻蚀工艺制作电极。工艺成品率达到60％以上。用该insb薄膜开发了3个品种13个规格的insb霍尔元件，并进行批量生产。

2006-10-10

9月28日，芯片制造六大装备中的刻蚀机和离子注入机的采购合同在北京签订，这标志着国产100纳米制造装备初步实现了产业化。

2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　...　　中国863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着中国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

2006-09-14

中国科学院微电子研究所常务副所长叶甜春表示，通过进行科技部“十五”863重大专项“100nm集成电路制造装备”，我国研制出100nm 8英寸高密度等离子体刻蚀机和大倾角注入机试生产样机，实现了我国高端集成电路核心设备零的突破

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。

2006-08-21

传感器 　(1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-03

3.发展重点 3.1 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺

2006-02-09

这样一来，金属薄膜就会在牺牲层刻蚀阶段被一同刻蚀处理掉，因此预先对最终所需要的金属薄膜进行了钝化处理，以确保不被刻蚀处理。试制品使用了台积电的2层聚合物4层金属的0.35μm工艺。

2005-07-21

发展重点 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器