2007-01-17
其微处理器在1.2v驱动时,漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm,pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。