来源：互联网2009-09-28

内置的数字软启动和集成的功率mosfet控制浪涌电流，并减少了所需的外部元件数量。max17100从2.5v至6v输入可以产生高达18v的输出电压，效率高于85%。

来源：阿拉丁照明网2009-09-27

另一类不含功率开关，需要外接功率mosfet，称dc/dc控制器。...boost升压方式也出现了采用mosfet代替二极管的同步boost的产品。在低压领域，增加效率的幅度很大，而且正在设法进一步消除mosfet的体二极管的导通及反向恢复问题。 　　

来源：互联网2009-09-27

功率mosfet，500v、to220封装的hexfet自1996年以来，其通态电阻以每年50%的速度下降。...功率场效应管（mosfet）由于单极性多子导电，显著地减小了开关时间，因而很容易地便可达到1mhz的开关工作频率而受到世人瞩目。

来源：互联网2009-09-27

源极s：连接内部mosfet功率管的源极，最初级控制电路的公共端和参考点。 　　开关频率选择端f：用于选择开关频率的输入端，该端与s端相连可得到130khz开关频率，这有助于减小高频变压器的体积。...3结论 　　topswitch-fx系列内部集成了功率开关mosfet及各种保护电路，配合外部电路可以实现多达14种控制功能，而将该电路与微控制器（不限于8051）结合使用则能实现更多功能并体现设计的灵活性

来源：维库开发网2009-09-27

5.外部mosfet的连接 　　由于外部mosfet放在ic以外，设计工程师可以选择防雪崩器件。在某些情况下无需有源箝位网络就能够工作，例如低输出功率的应用。...在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合，设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。

来源：互联网2009-09-27

关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。...功率半导体器件从双极型器件（bpt、scr、gto）发展为mos型器件（功率mosfet、igbt、igct等），使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。 　　

来源：北极星电力新闻网2009-07-09

375v功率mosfet系列产品。

来源：北极星电力新闻网2009-01-16

mic23150内置的mosfet可提供达1.5 amps的电流输出，而小型的2mm x 2mm thin mlf(r)封装内部仅消耗23 micro amps的静态电流。

来源：中国新能源网2008-10-29

驱动电路的设计与制作应精心进行，在使用功率mosfet时要可靠地使栅极驱动电路具有良好的性能。

2006-10-31

另一类不含功率开关，需要外接功率mosfet，称dc/dc控制器。...boost升压方式也出现了采用mosfet代替二极管的同步boost的产品。在低压领域，增加效率的幅度很大，而且正在设法进一步消除mosfet的体二极管的导通及反向恢复问题。

2006-08-23

st将获得powerpc内核技术授权，而飞思卡尔也将power mosfet和igbt进行技术授权。 　　此外，2006年5月，飞思卡尔和风河系统宣布结成战略联盟。

2006-07-21

电源管理ic和mosfet是应用比较广泛的产品，在消费电子、工业控制、计算机、汽车电子中都大量使用。得益于近年来国内整机产量的增加，电源管理ic和mosfet需求量保持快速增长。...随着产品能效要求的提高以及开关频率的提高，功率ic、mosfet和 igbt将是增长最快的产品，功率ic将向功能更强、体积更小的方向发展， mosfet也将向导通电阻更低、耐压更高和外形更小的方向发展，

2006-02-15

开关设计是所有开关稳压器电源供应商都必须具有的一种基本核心的能力，甚至控制器产品也有mosfet驱动器，它们也受到相同的限制。...isuppli公司电源ic分析师则表示，30年前电源行业开始转向开关模式电源mosfet，这是一个很大的变化，而现在电源数字化趋势可能是更大的变化。 　　

2005-12-06

在低压交流电动机的传动控制中，应用最多的功率器件有gto、gtr、igbt以及智能模块ipm(intelligent power module），后面二种集gtr的低饱和电压特性和mosfet的高频开关特性于一体是目前通用变频器中最广泛使用的主流功率器件

2005-08-25

提高器件耐压，同时减小其导通电阻仍是今后mosfet的主要研究方向。...4 一流电源产品离不开先进的元器件及先进的工艺 　　▼ 功率器件的发展是电源技术发展的基础 功率mosfet是目前最快速度的功率器件。

2005-07-29

而相对而言，电源管理产品的增长率却远远高于全行业平均水平，igbt、功率mosfet和电压调节器分别增长了4.4%、10%和18%。...据isuppli预计，从2002年到2007年，igbt、功率mosfet和电压调节器的销售额复合增长率均保持两位数增长。因此，未来几年，功率器件产品仍将是引领行业复苏的“先锋”。

2005-02-01

fetky器件封装包括了一个控制mosfet、同步mosfet和肖特基二极管，以图简化单相降压变换器。在这种电路中，肖特基二极管用于减小同步fet中反向恢复的电荷损耗。...共同封装的自然发展结果就是集成化，此时可以将mosfet、二极管、ic和对电路布局来说至关重要的无源元件集成到单个器件上。

2005-01-25

esd在我们的日常生活中经常发生，研究表明，一般的分立器件如mosfet、jfet、ccd和精密稳压二极管所能承受的esd在0~2kv，低至2kv的esd脉冲就可损坏到所有的手持设备的敏感区域如显示屏、

2004-08-31

supply(交流-直流转换器)—1微米40伏、led/lcd driver(发光二极管/液晶显示驱动电路)—0.5微米12伏和40伏、ac compressor driver(交流压缩驱动电路)—mosfet

2004-04-23

在100纳米节点，mosfet内部的开关延迟为5皮秒，而rc反应时间为每1毫米就达30皮秒。这种6比1的差距将演变为100比1的差距。