来源：OFweek2015-04-10

在晶圆制造方面，在大基金的支持下中芯国际的先进工艺和成熟工艺28纳米在今年上半年量产，4g芯片可以在中国落地生产，全球首次生产38纳米nand，24纳米也即将量产。

来源：OFweek 电子工程网2014-11-14

主要产品包括dram、nand快闪存储器和cmos影像传感器，其它半导体元件和内存模组。...美光于2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂，主要生产dram和nand快闪存储器。

来源：电子发烧友2014-10-28

因为本系统是从nand flash启动的，我们只考虑nand flash接口和sdram接口电路。nand flash具有成本低，擦写速度快，支持随即存取，高存储密度等特点，是一种非易失存储器。

来源：OFweek 工控网2014-10-08

东芝的产品：移动电话、小灵通手机、智能手机、液晶电视机、工业和监视摄像机、硬盘与dvd刻录机、硬盘驱动器、笔记本电脑、电脑服务器、业务电话系统、多功能数码复合机、pos终端、电子收款机、nand闪存、固态硬盘

来源：中国日报网2014-07-25

西安工厂将生产三星电子在全球最先研发的下一代nand闪存芯片v-nand。sk hynix早在2006年已在中国无锡建设dram生产工厂，进入中国市场。

来源：中国电子报 作者：莫大康2014-02-13

如由于nand市场软弱的需求sandisk的manish bhatia总结说,sandisk/东芝公司不想建造最后一个300mm晶圆厂,也不准备建立全球第一个450mm晶圆厂。未来会怎么样?

来源：元器件交易网2013-12-09

至于2014年展望，因台积电、三星、英特尔等全球三大半导体厂积极扩充20纳米以下产能，且包括三星、sk海力士、东芝、美光等存储器厂也大动作提高nand flash产能，所以semi预估明年全球半导体设备支出市场规模将达

来源：东芝电子2013-11-25

存储nand闪存的emmc、sd存储卡、ssd、 hdd、混合驱动、存储卡应用flashair以及usb存储器等存储类产品也在展出产品之列。

来源：万方数据2013-08-15

该处理器包括一个高速的片上sram工作区和一个低延迟的外部总线接口(ebi)，其内置控制器可用于控制同步dram、突发访问模式flash存储器和静态存储器;提供与smartmedia、compact flash和nand

来源：21ic2013-07-30

px02sm系列针对的是需要最高级别essd性能的应用，是东芝首款采用企业级多阶存储单元(emlc)nand技术打造的essd，其容量分为200、400、800gb和1.6tb和tops，也是东芝首款采用双端口

来源：EEFOCUS2013-07-29

网关配置512mb ddr3内存以及4gb nand flash，运行adroid2.3系统。

来源：比特网2013-07-09

zmcp 利用 2gb 基于 slc 的 nand 闪存和超级电容技术，在系统断电的情况下, 基于闪存内存的数据通过缓存保护功能可以保留长达数年之久。

来源：软信网2013-06-28

此外，随着对nand闪存的关注逐渐白热化，其他固态存储技术也将进入人们的视野。虽然在短期内不会完全取代传统硬盘，但闪存在企业数据中心存储方面的应用前景却是毋庸置疑的。

来源：ADI公司2013-05-28

个通过fpga扩展)● 16通道模拟输入(2个ad7606)● 2个uart(1个rs232，1个rs485)● 128 mb 16位ddr2● 16 mb nor + 4 mb spi + 2 gb nand

来源：dzsc2013-04-10

考虑到系统需要大容量的数据存储，要求存储芯片体积小、功耗低，所以选用了三星公司的nand结构flash存储器件16mb的k9f2808来作为本系统的固态硬盘。

来源：北极星电力软件网2013-01-22

mcobject利用extremedbimds、磁盘dbms技术以及fusion-io公司的fusioniodrive2nand闪存等已上市的硬件进行测试，并在该白皮书中回答了上述问题。

来源：中关村在线2012-10-25

对于此应用性价比最高的外部存储器是nand闪存，其容量可达8g位。对于16kbps编码，这种器件可提供超过6天的语音存储。但nand闪存并不完善。...幸运的是，nand闪存的这些缺陷对语音应用的影响不大，不像对固态磁盘等应用的影响那么大。在语音应用中，nand闪存的这些缺陷可以被忽略，它们最多使语音中存在瞬间杂音。

来源：电源在线网2012-02-21

此外，xmc4000家族器件还配备一个快速外置总线接口，支持sdram或burst flash等同步标准，以及sram、nand flash和nor flash等异步标准。

来源：中电新闻网2012-01-09

配置始终为三芯片解决方案，因为微控制器需要外部sdram和nand闪存才能形成足够的存储器资源。

来源：电源网2011-11-17

东芝、瑞萨、尔必达各领风骚细部分析日本前3大半导体厂商，可发现其在多个领域都具备很强的竞争力，像是东芝在硬碟和nand领域的发展，始终走在竞争对手的前头。...相较于东芝在硬碟和nand领域的强势地位，尔必达则是在储存记忆体(dram)有很好的发展，2010年该公司仅次于三星与海力士，为全球第3大dram制造商。