来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-05-08

（5）m1s电池是肖特基（ms）电他的改型，即在金属和半导体之间加入1．5一3．0nm绝缘层，使ms电池中多子支配暗电流的情况得到抑制，而变成少子隧穿决定暗电流，与pn结类似。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-27

可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。...hwcvd的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-25

本文对太阳能电池的暗电流产生原因进行了系统的研究。暗电流不仅仅包括反向饱和电流。还包括薄层漏电流和体漏电流。在太阳能电池实际生产中，暗电流高于５ａ的电池比例偏高，其产生的原因多种多样。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-23

对于暗电流的分析，由于在此实验不易单独区分出暗电流与逆电流。但二者所反映的函数特征是一致的。因为逆电流在现实实验中较暗电流容易测出，故可用逆电流代替暗电流，试验结果反映曲线的特性也是没有改变的。

2006-10-25

ｃ３ｄ技术重新定义了成像器的性能（即把系统的整体性能包括在内）并提高了ｃｍｏｓ图像传感器在均一性和暗电流方面的标准性能。...从早期1寸、1/2寸、2/3寸、1/4寸到最近推出的1/9寸，像素数目从初期的10多万增加到现在的400～500万像素； 2.低杂讯（lownoise）高敏感度：ｃｃｄ具有很低的读出杂讯和暗电流杂讯