来源:新材料在线2019-01-15
主营业务:pecvd;扩散炉;制绒;清洗;刻蚀;自动化等六大类光伏设备及mocvd。募资总额:105486.55万元。
来源:东吴证券2018-12-14
perc 产线单 gw 设备投资额约 3.5-4 亿,丝网印刷、制膜(设备包括 pecvd 和 ald)、扩散环节设备投资占比分别达到 27%、24%、18%。...捷佳伟创:产品线广、协同性强的电池设备龙头除丝网印刷外,公司基本涵盖了电池片生产的主要设备,包括 pecvd设备(市占率 50%-60%)、扩散炉(市占率 50%)、制绒设备(市占率70%-80%)、刻蚀设备
来源:北极星太阳能光伏网2018-11-28
从2019年起,国内太阳能电池生产设备企业生产pecvd等设备所需的零部件、原材料将免征关税和进口环节增值税。
来源:pvmagazine2018-11-12
结合产线提效方案,具体讨论了用于提高电池可靠性和转化效率的pecvd镀膜工艺、背抛光工艺和perc高效结构的光衰和光恢复现象。...硅酸钠和制绒添加剂构成的碱性溶液中进行制绒,绒面金字塔大小在5μm以内;(2)扩散炉中高温磷扩散形成n型发射结,方阻在80ω/□左右;(3)等离子体刻蚀去边结后,在氢氟酸溶液中进行二次清洗去除磷硅玻璃;(4)pecvd
来源:水电水利规划设计总院2018-11-12
型单晶及多晶电池技术持续改进,常规生产线平均转换效率分别达到20.2%和18.6%,采用perc和黑硅技术的先进生产线则分别达到21.3%和19.2%,异质结(hjt)、ibc、n型双面等技术路线加快发展;除个别高效电池生产用pecvd
来源:水电水利规划设计总院2018-11-09
来源:Solarwit2018-11-09
夹具等设备,对于老的电池设备产能而言技改费用约为40万/100兆瓦;尺寸进一步增大到161.7mm时电池产线需要更换的设备就更多,技改费用增加到60万/百兆瓦;而当硅片尺寸大于161.7mm时就超过了现有pecvd
来源:中国能源报2018-10-31
在hit电池技术领域,新赛维也掌握了实现量产的四项核心技术:智能制造系统和工艺开发、pecvd/pvd设备开发、薄片技术和铜丝金属化wem技术。
来源:孚智科技2018-10-19
在hit电池技术领域,新赛维已经掌握了实现hit电池量产的四项核心技术:智能制造系统和工艺开发、pecvd/pvd设备开发、薄片技术和铜丝金属化wem技术。
来源:一起光伏APP2018-09-04
首先讲一下,我大概十年前才进入光伏,十年前干平板显示,做了十几年pecvd,03年国内起来,从上广电、京东方开始做起,做到08年的时候,觉得要做一个转折。
来源:中国能源报2018-08-22
目前,中国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工、光伏电池片、组件的生产,相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设,到与光伏产业链相关的检测设备、模拟器等,已经具备成套供应能力,部分产品如扩散炉、管式pecvd
来源:全景网2018-08-21
捷佳伟创成立至今,均主营生产pecvd(等离子体增强化学的气相沉积法)等晶体硅电池设备。...2017年捷佳伟创研发推出高产能、生产成本低的pd-450型pecvd设备pecvd设备是最贵的光伏设备之一,李时俊介绍说,刚推出时一台设备(即半条基本生产线)的价格约1200万至1400万人民币,一条基本生产线一年的产能是
来源:OFweek太阳能光伏网2018-08-14
公司系国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备制造商,主营pecvd设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售。
来源:摩尔光伏2018-07-30
在pecvd生长的al2o3薄膜中,这两种形态的al2o3同时存在。...正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所pecvd设备制备,高频信号发生器频率为40khz。采用西安隆基m2单晶硅片。使用sinton公司的wct120设备检测硅片的少子寿命。
来源:摩尔光伏2018-05-28
3.2激光掺杂实验结果用四探针对激光扫描的2020mm的样片进行方块电阻的测量,然后四组实验在相同的工艺条件下进行洗磷刻蚀、pecvd镀减反膜、丝网印刷电极和烧结,制成成品电池片,并测试其电性能参数,不同激光功率对重掺杂区方块电阻以及最终对电池串联电阻的影响如表
来源:清新电源2018-05-09
为了减小llzo-li界面电阻,还可以用等离子体增强化学气相沉积 (pecvd)、原子层沉积 (ald)、磁控溅射、蒸发镀膜等方法在llzo与锂负极之间引入组分为si、ge、au、zno、al2o3等的缓冲层
来源:OFweek2018-04-27
图表2:hit太阳能电池工艺流程资料来源:ofweek行业研究中心制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积,其对工艺清洁度要求极高,量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战,目前通常用pecvd法制备。
来源:PV兔子2018-02-27
,正面掺杂的多晶硅对硅片起到吸杂(gettering)的效果去除正面氧化层,再使用光刻技术对背面氧化层开孔使用koh刻蚀,正面制绒,背面断开掺杂区域的衔接ald生长20nm的alox用作钝化,正面再用pecvd
来源:新能源投融资圈2018-01-17
而相比于传统pecvd 钝化技术,ald 技术使钝化膜更薄,并且大大降低tma 使用量,从而使成本降低。
来源:PV兔子2017-12-27
pecvd 氮化硅取代了从前的apcvd 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池转换效率分档测试设备代替了当年的手工测试仪等。