来源：网界网2013-08-07

当市电停电发生，交流输入检测电路快速判断到停电发生，13v的服务器电源输出出现电压跌落，当母线输出vups触发到了voff的欠压阈值，马上开通电池放电vdischrge的驱动，背靠背的两个mosfet开关被导通

来源：semi2013-07-18

sic器件和gan器件的特点是，工作温度比igbt和传统功率mosfet等si系器件的工作温度更高。有越来越多的技术人员打算在严酷的条件下使用采用sic器件和gan器件的电路，开始对其进行实际评估。

来源：EnergyTrend2013-04-23

科锐于2011年发表了首款碳化矽功率 mosfet， 具有降低损耗和提高太阳能逆变器效率及功率密度的功效;而性能更显著提升的第二代矽功率 mosfet将于2013年推出。...碳化矽功率 mosfet的加入，使下一代的太阳能逆变器在功率密度、效率和重量上达到重要的新里程碑。

来源：输配电设备网2013-03-29

几十年间，电力电子器件也从最初的scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)，经过bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、sith(静电感应晶闸管)、mgt

来源：北极星电力网2013-03-08

(igbt)、可控硅(scr)、集成门极换流晶闸管(igct)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(vdmos)、快恢复二极管(frd)芯片和模块、中小功率智能模块、高电压的金属氧化物半导体场效应管(mosfet...电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

功率mosfet是一种功率场效应器件，通常由多个mosfet元胞（cell）组成。...功率mosfet起源于1970年代推出的垂直v型槽mosfet（verticalv-groovemosfet：vvmos），在vvmos基础上发展起来的以vdmos为代表的多子导电的功率mosfet显著地减小了开关时间

来源：工业电器网2013-01-09

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(pwm)控制ic和mosfet构成。

来源：21IC中国电子网2012-10-26

开关电源定义开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制ic和mosfet构成。

来源：北极星电力网2012-10-10

igbt、可控硅(scr)、集成门极换流晶 闸管(igct)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(vdmos)、快恢 复二极管(frd)芯片和模块、中小功率智能模块、高电压的金属氧 化物半导体场效应管(mosfet

来源：赛迪网2012-09-27

它与外部n通道mosfet 以及传感电阻器配合工作，可准确地逐个控制每个led 串的电流。动态余量控制可自动将led电源调节至led 电流传导所需的最低水平，从而可提高系统效率。...全局模拟亮度控制可独立于调光控制模式工作，还可用于热回送，避免led串出现过温情况;多个 lm3463 led 驱动器能够以主从配置级联，满足需要超过6串led工作的应用需求;保护特性包括输入欠压锁定、led开路/短路、mosfet

来源：维库电子2012-09-27

在设计开关电源的主电路时，应计算和选择的主要内容有：选择主电路结构形式、选择开关管(晶体管、功率mosfet或igbt)及整流二极管的型号及其电压和电流的规格等，确定输入、输出滤波器形式及参数;选择计算磁性元件

来源：汇能精电科技有限公司2012-08-08

12/24v自动识别高效的串联式pwm充电方式，延长了蓄电池寿命，提高了系统性能使用功率 mosfet 作为电子开关，没有任何机械开关具有广泛的适用性，自动识别白天/黑夜led数字化功能菜单设置及显示简明

来源：百方网2012-07-27

开关电源一般由脉冲宽度调制(pwm)控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：汇能精电科技有限公司2012-06-12

/50a/60a 特点如下： 12位 a/d 高精度采样保证采样的准确性 优良的 emc 设计 系统电压自动识别 高效的串联式 pwm 充电方式，延长了蓄电池寿命，提高了系统性能 使用功率 mosfet

来源：21ic2012-06-12

因此可以达到快速驱动mosfet的栅极，又不会损坏mosfet。3.1 单路mosfet仿真实验为得到较快的脉冲驱动源输出波形的前沿需要mosfet的开关速度尽量快。

来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：工信部网站2012-02-24

大力推进绝缘栅双极型晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应管(mosfet)、快速恢复二极管(frd)等高频场控电力电子芯片和模块的技术创新与产业化;重点解决高阻区熔硅单晶、陶瓷覆铜板、铝碳化硅基板

来源：移动电源网2012-02-24

太空步智能微温持流供电技术，内部通过电压智能检测系统，当锂电池电压低于其过度放电电压检测点时将激活过度放电保护，使功率mosfet由开转变为切断而截止放电，以避免移动电源过度放电现象产生，并将电池保持在低静态电流的待机模式

来源：大比特电子变压器网2012-02-24

逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(bjt)，功率场效应管(mos-fet)，绝缘栅晶体管(igbt)和可关断晶闸管(gto)等，在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet

来源：EEWORLD2012-02-22

所展示的产品和平台包括适用于led照明和ac-dc开关模式电源 (smps) 的最新ic、supirbuck 系列集成式稳压器、directfet功率mosfet和igbt、以及为变速电机驱动器而设的imotion