来源：电源网2013-11-07

麦瑞半导体公司(micrel inc.)今天宣布推出集成了功率mosfets的固定频率、电流型dc-dc转换器mic24085x系列产品。mic24085x对+12v电源轨进行了优化，可以为分布式电源系统和通信应用提供灵活而又经济的解决方案

来源：元器件交易网2013-11-07

除了外置mosfet之外，iw7025还支援成本较低的bjt，因此可进一步降低bom成本。...iw7025还可以提供电视制造商解决一些安全性和可靠性问题，因为它内置一系列最可靠的短路检测与保护功能，其中包括单个led短路保护、通道至通道短路保护、定电流控制mosfet源极至源极短路保护、双极面结型电晶体

来源：LED在线2013-11-07

德州仪器推出以简化基于ac的led光引擎设计为目的的tps92411mosfet转换器，以提高其在led驱动竞技场上的存在感。

来源：慧聪变频器网2013-11-06

它可以放置在to-220、to-247等封装的mosfet或igbt的引脚之间。完整的cwt超小型产品系列包括适合低至1a至6000a最大满量程电流测量的几个变种。

来源：中自网2013-11-06

igbt是mos结构的双极器件，它兼具功率mosfet(金属氧化物场效应晶体管)的高速性能和双极晶体管的低电阻性能，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等优点，这使得

来源：北极星电力网2013-11-05

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：中国电源网2013-11-01

ltc3774 可与 power block、drmos 等外部功率链器件以及分立式 n 沟道 mosfet 和有关栅极驱动器一起工作，从而实现了灵活的设计配置。

来源：Vishay Intertechnology2013-10-31

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元器件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：新电子2013-10-28

事实上，无线充电接收器是由微控制器(mcu)、电源控制演算法与金属氧化物半导体场效电晶体(mosfet)所组成，从技术角度而言，应用处理器业者将接收器整合为系统单晶片(soc)是可行方案，但仍有一些技术挑战与风险存在

来源：VISHAY2013-10-25

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：CA1682013-10-18

而变频器，伺服驱动，逆变器和专用控制器中的ipm模块，igbt和mosfet对节能降耗起到关键性作用。

来源：电子技术设计2013-10-14

数字供电采用的mosfet上面我们已经谈到数字供电和模拟供电最明显的特征之一，那就是mosfet和driver.这款数字供电显卡采用了vt1195sf，内部整合了mosfet和driver.相比模拟供电常采用的工作频率在

来源：机房3602013-10-10

把逆变电路中的pwm技术应用于由mosfet、igbt等全控器件组成的整流电路,工作时可以使网侧电流正弦化,获得单位功率因数,甚至能量可以双向流动,真正实现绿色电能转换,这种整流器称为pwm整流器,又称为单位功率因数变流器

来源：北极星电力网2013-09-26

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

与其它mosfet等其它分立功率元件相比，中国igbt销售额增长强劲。igbt产品可以分为igbt模组和分立器件。

来源：与非网2013-09-23

该控制器的两路输出直接驱动n通道功率mosfet和p通道复位mosfet。这两路驱动器输出的大小不同，主输出产生较大的3a门极驱动峰值电流，其目的是迅速开关大功率mosfet以便降低开关损耗。

来源：半导体应用联盟2013-09-23

与其它mosfet等其它分立功率元件相比，中国igbt销售额增长强劲。igbt产品可以分为igbt模组和分立器件。

来源：21ic2013-09-23

开关是一个功率晶体管(通常是mosfet)，其栅极由执行脉宽调制(pwm)的ic驱动它控制占空比(晶体管的开关时间)，从而控制输出电压大小。图6示出非隔离降压拓扑。

来源：世纪新能源网2013-08-28

扰动电阻r和mosfet串连在一起，在输出电压基本稳定的条件下，通过改变mosfet的占空比，来改变通过电阻的平均电流，因此产生了电流的扰动。

来源：中国电力电子产业网2013-08-19

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n;而igbt的基板极性为p。...受惠近期太阳能光伏逆变器中的igbt与mosfet两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。