来源：中国电源网2013-11-01

ltc3774 可与 power block、drmos 等外部功率链器件以及分立式 n 沟道 mosfet 和有关栅极驱动器一起工作，从而实现了灵活的设计配置。

来源：Vishay Intertechnology2013-10-31

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元器件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：新电子2013-10-28

事实上，无线充电接收器是由微控制器(mcu)、电源控制演算法与金属氧化物半导体场效电晶体(mosfet)所组成，从技术角度而言，应用处理器业者将接收器整合为系统单晶片(soc)是可行方案，但仍有一些技术挑战与风险存在

来源：VISHAY2013-10-25

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：CA1682013-10-18

而变频器，伺服驱动，逆变器和专用控制器中的ipm模块，igbt和mosfet对节能降耗起到关键性作用。

来源：电子技术设计2013-10-14

数字供电采用的mosfet上面我们已经谈到数字供电和模拟供电最明显的特征之一，那就是mosfet和driver.这款数字供电显卡采用了vt1195sf，内部整合了mosfet和driver.相比模拟供电常采用的工作频率在

来源：机房3602013-10-10

把逆变电路中的pwm技术应用于由mosfet、igbt等全控器件组成的整流电路,工作时可以使网侧电流正弦化,获得单位功率因数,甚至能量可以双向流动,真正实现绿色电能转换,这种整流器称为pwm整流器,又称为单位功率因数变流器

来源：北极星电力网2013-09-26

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

与其它mosfet等其它分立功率元件相比，中国igbt销售额增长强劲。igbt产品可以分为igbt模组和分立器件。

来源：与非网2013-09-23

该控制器的两路输出直接驱动n通道功率mosfet和p通道复位mosfet。这两路驱动器输出的大小不同，主输出产生较大的3a门极驱动峰值电流，其目的是迅速开关大功率mosfet以便降低开关损耗。

来源：半导体应用联盟2013-09-23

与其它mosfet等其它分立功率元件相比，中国igbt销售额增长强劲。igbt产品可以分为igbt模组和分立器件。

来源：21ic2013-09-23

开关是一个功率晶体管(通常是mosfet)，其栅极由执行脉宽调制(pwm)的ic驱动它控制占空比(晶体管的开关时间)，从而控制输出电压大小。图6示出非隔离降压拓扑。

来源：世纪新能源网2013-08-28

扰动电阻r和mosfet串连在一起，在输出电压基本稳定的条件下，通过改变mosfet的占空比，来改变通过电阻的平均电流，因此产生了电流的扰动。

来源：中国电力电子产业网2013-08-19

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n;而igbt的基板极性为p。...受惠近期太阳能光伏逆变器中的igbt与mosfet两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。

来源：网界网2013-08-07

当市电停电发生，交流输入检测电路快速判断到停电发生，13v的服务器电源输出出现电压跌落，当母线输出vups触发到了voff的欠压阈值，马上开通电池放电vdischrge的驱动，背靠背的两个mosfet开关被导通

来源：semi2013-07-18

sic器件和gan器件的特点是，工作温度比igbt和传统功率mosfet等si系器件的工作温度更高。有越来越多的技术人员打算在严酷的条件下使用采用sic器件和gan器件的电路，开始对其进行实际评估。

来源：EnergyTrend2013-04-23

科锐于2011年发表了首款碳化矽功率 mosfet， 具有降低损耗和提高太阳能逆变器效率及功率密度的功效;而性能更显著提升的第二代矽功率 mosfet将于2013年推出。...碳化矽功率 mosfet的加入，使下一代的太阳能逆变器在功率密度、效率和重量上达到重要的新里程碑。

来源：输配电设备网2013-03-29

几十年间，电力电子器件也从最初的scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)，经过bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、sith(静电感应晶闸管)、mgt

来源：北极星电力网2013-03-08

(igbt)、可控硅(scr)、集成门极换流晶闸管(igct)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(vdmos)、快恢复二极管(frd)芯片和模块、中小功率智能模块、高电压的金属氧化物半导体场效应管(mosfet...电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

功率mosfet是一种功率场效应器件，通常由多个mosfet元胞（cell）组成。...功率mosfet起源于1970年代推出的垂直v型槽mosfet（verticalv-groovemosfet：vvmos），在vvmos基础上发展起来的以vdmos为代表的多子导电的功率mosfet显著地减小了开关时间