来源:北京商报2013-09-18
针对新建和改扩建企业及项目产品,《条件》明确,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%;多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在两年内分别不高于3.2%和4.2%,25年内不高于20%
来源:搜狐证券2013-09-18
常州亚玛顿股份有限公司副总理林金汉称,未来发电率较高是行业发展的趋势,所以国家对多晶硅和单晶硅电池的光电转换效率提高要求是必然选择。...除去在技术上的资金要求外,工信部也在多晶硅和单晶硅的光电转换率上做足文章,要求企业生产的多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于
来源:中国能源报2013-09-04
多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6ppma;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6ppma;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于
来源:中国化工报2013-08-30
对现有企业和项目,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;硅基、铜铟镓硒(cigs)、碲化镉(cdte)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。
来源:中华人民共和国工业和信息化部2013-08-28
多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6ppma;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6ppma;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于