来源：电子发烧友2015-01-12

灯光控制部分硬件组成框架灯光控制部分硬件组成框图如图1所示，其中各部分接口电路如下：图1 无线灯光控制电路图2 非隔离电源电路图①非隔离电源电路为mcu和无线模块提供工作电压，如图2所示，采用pi的linkswitch-tn，由于功率mosfet

来源：北极星环保网2014-12-26

此外，它还融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的特性，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内

来源：中科院半导体研究所2014-12-18

功率器件的运用着重于它的容量(大电流，大电压)、开关频率、通态损耗、串并联使用性等，例如功率mosfet、igbt、gto等。

来源：电气中国杂志2014-11-12

而目前被广泛应用的高性能大功率电力电子器件mosfet、igbt、igct等大部分依赖进口。周鹤良认为，应该大力支持具有更高能源转换效率的碳化硅、氮化镓等下一代宽禁带电力电子器件的研发和产业化。

来源：OFweek 工控网2014-11-03

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：中国电力电子产业网2014-09-29

同我们原先考虑采用的si超结mosfet相比，sic技术能够降低我们逆变器电子中超过30%的损耗。...科锐1200vsicmosfet科锐1200vc2m0080120dmosfet应用在太阳能逆变器的主要电能转换阶段，具有更快的开关特性，开关损耗仅为相应的900vsi超结mosfet的三分之一。

来源：电子工程世界2014-09-17

此外，还针对要求超高转换效率的应用提供了参考设计，该参考设计使用集成驱动器/mosfet 技术。...但是随着 pwm 控制器 ic 的不断发展以及 mosfet 增强和封装技术的进步，开关模式电源 (smps) 已能够克服障碍并主导所有电源级别的市场。

来源：OFweek 工控网2014-09-02

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：北极星电力网2014-08-25

电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5 英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：电子发烧友2014-08-18

开关电源中的电压电流波形大多为接近矩形的周期波，比如开关管的驱动波形、mosfet漏源波形等。

来源：OFweek电子工程网2014-08-13

是二极管/晶闸管市场的领导者，占有全球34%的份额，拥有两万一千多种不同的功率半导体器件，产品涵盖了芯片、分离二极管/晶闸管、功率模块(igbt/mosfet/二极管/晶闸管)、驱动电路、保护元件以及集成电子系统...no.10 ixysixys公司是世界著名的半导体厂家，成立于1983年，总部设于加利福尼亚州，其产品括mosfet、igbt、thyristor、scr、整流桥、二极管、dcb块、功率模块，hybrid

来源：OFweek电子工程网2014-08-13

标准产品包括分立器件如晶体管、二极管与晶闸管;功率晶体管如mosfet、igbt等。

来源：中国工业网2014-08-12

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及 mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...2014年，随着ic不断提升集成度和智能化以及业界也争相提供更高功率密度的封装，如so8fl、8fl、phasefet、双mosfet封装等，智能功率模块也将获得大的发展，目前ir、安森美、凌力尔特等公司都有布局

来源：电子工程专辑2014-07-15

内部集成mosfet的boost升压控制器可把电池电压升到5v。

来源：北极星电力网2014-07-11

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：电子发烧友2014-07-09

为了减小功率开关器件(mosfet)的开关损耗，希望其开关过程尽量短，这可通过减小门级驱动电阻来实现，但在开关速度提高的同时，往往会增加电源的共模emi，使得emi特性变差。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。

来源：百度文库2014-07-04

一旦电子产品出现故障时，如电子产品输入侧短路或输出侧开路时，则电源必须关闭其输出电压，才能保护功率mosfet和输出侧设备等不被烧毁，否则可能引起电子产品的进一步损坏，甚至引起操作人员的触电及火灾等现象...图2(a)与图2(b)中在mosfet的源极均串入一个限流电阻rsc，在图2(a)中，rsc提供一个电压降驱动晶体管s2导通，在图2(b)中跨接在rsc上的限流电压比较器，当产生过流时，可以把驱动电流脉冲短路

来源：中国电力电子产业网2014-06-11

基于专有的高性能功率fet，isl85003/3a的高边mosfet工作电阻rds(on) 为65m，低边工作电阻为45m。...创新电源管理与精密模拟解决方案领先供应商intersil公司(纳斯达克交易代码：isil)今天宣布，推出带有集成高边和低边mosfet的3a同步降压稳压器---isl85003和isl85003a。