来源：与非网2015-04-28

hitfet+(高集成度温度保护mosfet)低边开关具备突出特性，比如诊断功能、数字状态反馈和短路防护以及前所未有的受控斜率调节功能，能轻松平衡开关损失和emc兼容性。...对于需要mosfet保护功能的众多汽车与工业应用而言，hitfet+是正确之选在汽车应用领域，hitfet+产品可驱动电磁阀，实现高达20khz的pwm(脉宽调制)阀门控制。

来源：电子发烧友2015-04-20

其中，由于igbt效率损耗较大导致系统效率偏低，考虑如果采用损耗较小的mosfet，系统效率会至少上升10%~15%.

来源：华强北电子市场2015-04-10

元件并于15mm x 15mm x 4.92mm bga封装中包含了电感、 dc/dc 稳压器、 mosfet及支援零组件。

来源：OFweek 电子工程网2015-04-03

小巧的封装外形和高低边mosfet在封装内的优化互连，可最大限度地降低环路电感，从而实现最优的系统性能。...英飞凌科技股份公司2015年3月24日推出了optimos 5 25v和30v产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率mosfet。

来源：OFweek 工控网2015-03-09

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：OFweek 工控网2015-03-04

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：新电子2015-01-28

如今，gan mosfet在功耗、驱动电流、导通电阻、起始电压、电源转换效率等方面，都已被证实能超越传统的mosfet技术。...现阶段，gan mosfet在功耗、导通电阻及电源转换效率等方面，表现皆已可超越传统mosfet方案，但要大量商用仍须克服制程及成本等问题。

来源：英飞凌科技股份公司2015-01-26

led驱动器则是英飞凌目前与将来的重心所在，其产品组合除了大多数人较为熟知的coolmos、optimos等金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)以外，还包括dc/dc led驱动ic及线性led驱动

来源：电子发烧友2015-01-12

灯光控制部分硬件组成框架灯光控制部分硬件组成框图如图1所示，其中各部分接口电路如下：图1 无线灯光控制电路图2 非隔离电源电路图①非隔离电源电路为mcu和无线模块提供工作电压，如图2所示，采用pi的linkswitch-tn，由于功率mosfet

来源：北极星环保网2014-12-26

此外，它还融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的特性，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内

来源：中科院半导体研究所2014-12-18

功率器件的运用着重于它的容量(大电流，大电压)、开关频率、通态损耗、串并联使用性等，例如功率mosfet、igbt、gto等。

来源：电气中国杂志2014-11-12

而目前被广泛应用的高性能大功率电力电子器件mosfet、igbt、igct等大部分依赖进口。周鹤良认为，应该大力支持具有更高能源转换效率的碳化硅、氮化镓等下一代宽禁带电力电子器件的研发和产业化。

来源：OFweek 工控网2014-11-03

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：中国电力电子产业网2014-09-29

同我们原先考虑采用的si超结mosfet相比，sic技术能够降低我们逆变器电子中超过30%的损耗。...科锐1200vsicmosfet科锐1200vc2m0080120dmosfet应用在太阳能逆变器的主要电能转换阶段，具有更快的开关特性，开关损耗仅为相应的900vsi超结mosfet的三分之一。

来源：电子工程世界2014-09-17

此外，还针对要求超高转换效率的应用提供了参考设计，该参考设计使用集成驱动器/mosfet 技术。...但是随着 pwm 控制器 ic 的不断发展以及 mosfet 增强和封装技术的进步，开关模式电源 (smps) 已能够克服障碍并主导所有电源级别的市场。

来源：OFweek 工控网2014-09-02

公司逐步建立形成亚洲最大的高压变频带载实验站，成为国内最大的高压变频生产基地，基于igbt、mosfet电力电子器件的专用功率模块(asipm)是现代电力电子技术的具体应用，对我国现代通讯、电子仪器、计算机

来源：北极星电力网2014-08-25

电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5 英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：电子发烧友2014-08-18

开关电源中的电压电流波形大多为接近矩形的周期波，比如开关管的驱动波形、mosfet漏源波形等。

来源：OFweek电子工程网2014-08-13

是二极管/晶闸管市场的领导者，占有全球34%的份额，拥有两万一千多种不同的功率半导体器件，产品涵盖了芯片、分离二极管/晶闸管、功率模块(igbt/mosfet/二极管/晶闸管)、驱动电路、保护元件以及集成电子系统...no.10 ixysixys公司是世界著名的半导体厂家，成立于1983年，总部设于加利福尼亚州，其产品括mosfet、igbt、thyristor、scr、整流桥、二极管、dcb块、功率模块，hybrid

来源：OFweek电子工程网2014-08-13

标准产品包括分立器件如晶体管、二极管与晶闸管;功率晶体管如mosfet、igbt等。