2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　...　　中国863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着中国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...我所承担的国家重大装备项目100nm离子注入机、生产型gan mocvd等相继获得重大突破。

2006-02-22

针对对我国设限的关键设备，如光刻机、mocvd、离子注入机等，以及新型半导体材料，如氮化镓、soi材料等，开展自主创新，争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。 　　...周生明 政府和政策层面不应再片面强调自主研发高端工艺技术(65纳米)、设备技术(例如光刻机、离子注入机等)、材料技术，以及cpu、dsp等高端产品，这方面要充分引进和利用国际资源，寻求合作。

2005-03-30

专家认为，该产品采用高能氧离子注入技术制作二氧化硅隔离层，将检测电路与基底隔开，避免了高温环境下检测电路与基底之间的漏电问题，解决了常规硅压力传感器120℃失效的技术难题；该产品将被测高温流体与硅敏感元件相隔离

2004-10-15

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2006-12-27

纳米刻蚀机与离子注入机设备攻关项目顺利通过国家验收，标志着我国集成电路装备技术直接跨越了5个技术代，达到了与国际同步的“8英寸100纳米”装备水平。...中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

来源：《中国电子报》2007-03-14

“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。...在6-8英寸用光刻机、刻蚀机、离子注入机、立式扩散炉、快速热处理设备，氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备、划片机、键合机、集成电路自动封装系统等设备实用化的基础上，提供批量供应。

来源：《中国电子报》2007-03-07

该设备的技术创新：首次实现国产8英寸离子注入机设备的制造；首次实现国产离子注入机进入大生产线测试和生产，并获得成功；实现了离子注入机全自动控制功能，并与大生产线管理系统进行连接；实现了单圆片传输与注入监控技术