2006-12-27

纳米刻蚀机与离子注入机设备攻关项目顺利通过国家验收，标志着我国集成电路装备技术直接跨越了5个技术代，达到了与国际同步的“8英寸100纳米”装备水平。...中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

来源：《中国电子报》2007-03-14

“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。...在6-8英寸用光刻机、刻蚀机、离子注入机、立式扩散炉、快速热处理设备，氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备、划片机、键合机、集成电路自动封装系统等设备实用化的基础上，提供批量供应。

来源：《中国电子报》2007-03-07

该设备的技术创新：首次实现国产8英寸离子注入机设备的制造；首次实现国产离子注入机进入大生产线测试和生产，并获得成功；实现了离子注入机全自动控制功能，并与大生产线管理系统进行连接；实现了单圆片传输与注入监控技术