来源：江苏省工信厅3小时前

发布会上，江苏经信智库发布了江苏省固态变压器产业链图谱；国电南瑞、南瑞继保、中电变压器、宏景智能电网四家整机企业发布多场景固态变压器整体解决方案；中电科五十五所推出2300v碳化硅mosfet芯片及功率模块核心新品

来源：麦田能源2026-06-11

自问世以来，英飞凌coolsic™ mosfet 1200 v g2产品凭借其在系统能效的卓越性能广受业内认可。...英飞凌率先在行业内推出基于新二代coolsic™ mosfet 1200 v芯片，采用全新顶部散热q-dpak封装的贴片式产品系列。

来源：重庆市万州区人民政府2026-06-08

高速通信、国防等mosfet射频器件；mini/microled、高光效节能芯片及3d传感等领域半导体激光器、apd/pd等光电器件；汽车、电力电子等igbt功率器件；智能模组、智能网关、安防摄像头、蓝牙音频等物联设备

来源：遂宁市经济和信息化局2026-05-26

扩大晶圆制造产能及工艺提升，加强成熟制程工艺的研发与品类拓展，推动6英寸化合物半导体晶圆生产线提升制造工艺水平，适时布局8英寸、12英寸生产线；支持企业拓展晶闸管、二极管、igbt、mosfet、射频微波

来源：北极星储能网2026-05-07

供应链层面，欧盟委员会暂未对元器件采购出台限制性规定，欧洲本土逆变器厂商从中国企业采购igbt、mosfet等核心功率器件，暂不受此次禁令影响。

来源：深圳市工业和信息化局2026-04-14

强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。

来源：北极星电力网2026-04-14

abb最新发布的sst-pro系列采用碳化硅mosfet器件，开关频率提升至100khz，配合铁氧体磁芯高频变压器，能量密度达到传统设备的3倍。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2026-04-13

是一家主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产和销售，主要业务包括led、微波射频、电力电子、光技术等领域，在光储领域，目前已与阳光电源、固德威、锦浪、古瑞瓦特、上能、爱士惟、德业等头部客户保持深度合作，碳化硅sbd及mosfet

来源：广东深圳市工业和信息化局2026-04-13

强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。

来源：MPS2026-04-02

该方案集成了3s-8s 高精度afe，支持mosfet软启动，同时集成了混合模型电量计，电量状态（soc）精度高达2.5%。...该产品支持140v 电池电压、支持高边与低边应用，特色功能还包括支持铜排采样、多个gpio支持ntc复用、支持mosfet软件启动等特性。

来源：思格新能源2026-03-30

能够支撑起这种“系统减法”的，是思格在底层技术上的“饱和投入”：底层电子架构的质变： 思格引入了新一代 sic（碳化硅）mosfet 器件。

来源：济南市工业和信息化局2026-03-30

自适应控制技术精准模拟同步发电机特性，提升与发电机、pcs 等组成的微电网系统在弱电网场景下的稳定运行能力；（3）主从式多机并联协同控制技术，实现多机同步时序精准控制、并机环流主动抑制，解决功率分配不均问题；（4）第三代半导体sic mosfet

来源：深圳市工业和信息化局2026-03-25

强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。

来源：深圳市工业和信息化局2026-03-24

强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。...强化“电力电子+”能力跃迁，推动新一代hvdc供电方案迭代，加快高压sic mosfet、高频gan功率器件、多相控制器与智能功率级（drmos）、高集成度功率模块等重点产品研发创新。

来源：北极星储能网2026-03-04

公司主营产品涵盖材料板块，单晶硅棒、硅片、晶圆板块及封装器件板块（包括mosfet、igbt、sic系列产品等），产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5g通讯、工业及消费电子等领域。

来源：东方日升储能2026-02-12

碳化硅功率模块赋能：在此基础上，系统引入碳化硅（sic）mosfet，开关频率提升至传统igbt的3倍，显著降低器件损耗40%，pcs最大效率提升至99.1%，系统循环效率由86%提升至90%，在相同充电条件下释放更多有效电量

来源：高工储能2026-02-11

成本方面，预计2026年底碳化硅mosfet与硅基igbt的价格差距持续，高端器件国产化率提升至60%以上，推动碳化硅pcs成本下降15%-20%。...自2023年以来，碳化硅mosfet价格年均降幅达15%-20%，与硅基igbt的价格差距持续缩小，曾经“价高和寡”的碳化硅器件，正逐步走进规模化应用的“寻常百姓家”。

来源：北极星储能网2026-01-19

该项目旨在扩大引线框架和高导热铜针式散热底板等产品的产能，主要应用于mosfet、igbt、sic及功率模块等功率半导体封装。

来源：山东志伟2025-09-01

氧化层制备：构建器件核心绝缘 / 介质结构在半导体器件（如 mosfet、二极管）中，二氧化硅（sio₂）或其他氧化物层（如 al₂o₃）是核心的绝缘层或介质层，臭氧可通过 “低温氧化” 工艺精准制备高质量氧化层

来源：光明市发展和改革局2025-08-29

本措施重点支持：锂离子电池、钠离子电池、钠盐电池、液流电池、半固态/固态电池等先进电化学储能技术路线的新型材料、元器件（绝缘栅双极型晶体管igbt、金氧半场效晶体管mosfet、数字信号处理dsp等芯片