来源：可迪尔2026-03-16

针对半导体湿法刻蚀与清洗环节产生的大量硫酸雾、氟化氢等酸性气体，洗涤塔通过酸碱中和反应实现高效净化，确保厂区环境长期安全。

来源：上海市闵行区人民政府2026-03-13

聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。...聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。

来源：上海市闵行区人民政府2026-03-13

聚焦主流光伏技术电池制备中的核心工艺环节，升级真空蒸镀、激光刻蚀、精密贴膜等关键技术，提升装备国产化率与性能优势。

来源：储能科学与技术2026-03-10

具体而言，活性刻蚀过程导致部分石墨微晶发生结构重组或消耗。图3 改性前后碳毡的xrd谱图2.3碳毡表面元素组成分析采用x射线光电子能谱(xps)技术深入分析了碳毡表面的化学组成演变。...结果表明：活化处理后，e-cf的c1s峰(结合能约为284.8 ev)强度降低，这表明电化学刻蚀过程消耗了部分碳基体；同时，e-cf的o1s峰(结合能约为532 ev)强度相对增强，其原子百分比从p-cf

来源：储能科学与技术2026-03-06

图4(c)显示，经过ar+ 120 s刻蚀，正极单质s信号消失，表明正极表面残留少量未完全反应的单质s。...ar+ 120 s刻蚀后依然能检测到明显的烷基硫酸锂信号，表明在正极界面形成了富含烷基硫酸锂的稳定界面层。图4(b)、(d)的参比电池(lfp||石墨)正极未检测到含s基团信号。

来源：广州市人民政府办公厅2026-01-08

依托黄埔、南沙、增城等区，着力补齐产业链空缺，集聚发展光掩膜、光刻胶、电子气体、高纯靶材等制造材料生产线及其产业链上下游，引进培育光刻、刻蚀、离子注入、沉积、清洗、检测设备等制造设备及零部件龙头企业。

来源：广西壮族自治区人民政府2025-11-13

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。

来源：广西壮族自治区人民政府2025-11-13

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。

来源：老汪聊碳中和2025-09-25

氢氟碳化物（hfcs）主要用于制冷设备的冷媒，部分也用于半导体的刻蚀气体及发泡剂使用。如果你去翻你现在旁边的空调铭牌，你会发现它的制冷剂那一栏填的就是这一类物质。

来源：老汪聊碳中和2025-09-25

氢氟碳化物（hfcs）主要用于制冷设备的冷媒，部分也用于半导体的刻蚀气体及发泡剂使用。如果你去翻你现在旁边的空调铭牌，你会发现它的制冷剂那一栏填的就是这一类物质。

来源：老汪聊碳中和2025-09-25

氢氟碳化物（hfcs）主要用于制冷设备的冷媒，部分也用于半导体的刻蚀气体及发泡剂使用。如果你去翻你现在旁边的空调铭牌，你会发现它的制冷剂那一栏填的就是这一类物质。

来源：储能科学与技术2025-09-23

在10 s刻蚀后，sn 3d峰强度显著增强，可见sn更多地分布在电极的内层。...在10 s刻蚀后，ga 3d谱图中在20.7 ev处新出现了ga—f峰，这一现象与f 1s谱图中的ga—f峰相呼应，进一步证实了ga与电解液中氟的相互作用。

来源：山东志伟2025-09-01

先进制程适配性：对于 3nm 及以下制程，晶圆表面粗糙度要求极高（0.1nm），臭氧清洗过程中需进一步降低对表面的微刻蚀效应，避免影响器件结构精度。2.

来源：广西壮族自治区人民政府2025-08-21

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。

来源：广西壮族自治区工业和信息化厅2025-08-13

加快突破第三代半导体衬底、外延、光刻、刻蚀等环节关键工艺技术，引进第三代半导体射频器件、功率器件等下游环节，推动半导体产业链上下游协同发展。完善新型显示产业配套，补齐玻璃基板、液晶材料、偏光片等环节。

来源：中国能源网2025-08-07

而在刻蚀设备、外延生长等关键环节，对高性能石墨材料的需求将持续旺盛。特种石墨虽不起眼，却关乎国家半导体产业的命脉。”

来源：储能科学与技术2025-07-03

除刻蚀的铜锌合金骨架材料外，多孔的泡沫镍骨架材料也被用来负载锂锌合金制备lizn@ni复合负极。...为缓解锂金属在沉积剥离过程中的体积膨胀同时保证负极的导电性，chi等利用刻蚀了部分锌的多孔铜锌合金作为骨架材料，将金属锂通过热熔法负载在该骨架材料中制备了li/cuzn复合锂负极。

来源：高工锂电2025-06-23

据其介绍，多孔铜箔的制备工艺多样，包括激光打孔、化学刻蚀、发泡成型等，而其研发项目则拟通过创新的“印刷模板法电解”来获得孔隙形态可控的铜箔。产业资本的嗅觉同样敏锐。

来源：深圳市科技创新局2025-04-01

解决光刻胶在合成和纯化过程中单体聚合、高纯度提纯、金属离子控制、化学放大、极高分辨率、抗刻蚀性、边缘粗糙度等工艺问题。2.新型超高清显示材料重点布局偏光片、盖板玻璃、聚酰亚胺浆料等材料。...2.半导体与集成电路装备重点围绕14nm及以下工艺需求，研发化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体干法刻蚀、sige/sip外延生长等前道设备，薄膜测量、颗粒检测、明场检测、暗场检测、多电子束检测等量检测设备

来源：储能科学与技术2025-03-10

cheng等通过表面刻蚀的方法得到一种多孔石墨材料，颗粒表面多通道的结构特征使li+能够快速嵌入石墨颗粒，其在6 c倍率下有83%的容量保持率，在10 c倍率下也有73%的容量保持率。