驱动电流为1.259mA/μm，pMOS晶体管的驱动电流为0.735mA/μm。该快速MOS晶体管的漏电流在断开状态下仅为200pA/μm。除应变硅技术外，还采用了先进的10层布线技术和介电常数为2.75的低K材料作为层间绝缘膜。 　　美国AMD公司和IBM公司联合开发了采用应变硅技术的晶体管。当应用于AMD公司Athlon64微处理器时，其nMOS管的驱动电流增加了32%，pMOS管驱动电流增加

器和各种高性能专用伺服驱动器为各种复杂系统的实现提供了技术基础。 　　永磁同步电动机发展的机遇 　　(1)更高的综合节能效果 　　永磁同步电动机由永磁体激磁，无需励磁电流，故可显著提高功率因数（可达1甚至容性）；定子电流小，定子铜耗显著减小；转子无铜耗（三相异步电动机转子绕组损耗约占总损耗的20～30％），因而发热低，可以取消风扇或减小风扇，从而无风摩耗或减少风摩耗，故永磁同步电动机一般比

导体场效应晶体管、双极型功率晶体管和绝缘栅双极型功率晶体管IGBT。MOSFET场效应晶体管具有开关速度快和电压型控制的特点，但其通态电阻大，难以满足高压大电流的要求；双极型功率晶体管虽然能满足高耐压大电流的要求，但没有快速的开关速度，属电流控制型器件，需要较大的功率驱动。因此MOSFET半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管都不能满足小型、高频和高效率的要求，只有绝缘栅双极型功率晶体管IGBT集

5～20min)，正负电极极性相互倒换，能自动清洗离子交换膜和电极表面形成的污垢，以确保离子交换膜工作效率的长期稳定及淡水的水质水量。在20世纪80年代后期，倒极电渗析器的使用，大大提高了电渗析操作电流和水回收率，延长了运行周期。EDR在废水处理方面尤其有独到之处，其浓水循环、水回收率最高可达95%。（4）液膜电渗析(EDLM)：液膜电渗析是用具有相同功能的液态膜代替固态离子交换膜，其实验模型就是

别向负极和正极方向迁移，阳离子透过阳离子交换膜，阴离子透过阴离子交换膜，分别进入了浓水室形成浓水。同时EDI进水中的阳离子和阴离子跟离子交换树脂的氢离子和氢氧根离子交换，形成超纯水（高纯水）。超极限电流使水电解产生的大量氢离子和氢氧根离子对离子交换树脂进行再续的再生。传统的离子交换，离子交换树脂饱和后需要化学间歇再生。而EDI膜堆中的树脂通过水的电解连续再生，工作时连续的，不需要酸碱化学再生。ED

生化性。该技术是在不通电的情况下,利用微电解设备中填充的微电解填料产生“原电池”效应对废水进行处理。当通水后，在设备内会形成无数的电位差达1.2V的“原电池”。“原电池”以废水做电解质，通过放电形成电流对废水进行电解氧化和还原处理，以达到降解有机污染物的目的。在处理过程中产生的新生态[˙OH]、[H]、[O]、Fe2+、Fe3+等能与废水中的许多组分发生氧化还原反应，比如能破坏有色废水中的有色物质